AlN及其空位的电子结构与磁性研究 .docVIP

【标题】AlN及其空位的电子结构与磁性研究 【作者】高翔 【关键词】AlN 自旋电子学密度泛函理论电子结构铁磁性 【指导老师】党随虎 【专业】物理学 【正文】1、绪论现代信息技术实现了信息的存储和处理, 信息的存储是利用词性材料的磁距,而信息的处理则依靠半导体芯片中载流子的电荷运动的实现。长期以来，同时利用自旋和电荷自由度最为成功的电子器件是由多层铁磁金属膜制备的磁盘读写头，但目前几乎所有的半导体器件都是利用载流子的电荷来完成其功能的。这是由于通常半导体材料如硅、砷化镓等都是非磁性材料的缘故。因此，人们有一个想法：能否构造将磁、电集于一体的半导体器件，即能否将硅、砷化镓这些半导体材料变成磁性材料呢？于是人们尝试将少量的磁性原子掺入非磁性半导体材料中，期待得到磁性半导体材料，制备出集磁、光、电于一体的，低功耗的新型半导体电子器件。1.1稀磁半导体的概念和分类稀磁半导体的概念稀释磁性半导体简称稀磁半导体(Diluted magnetic semi—conductors，DMS)，是利用3d族过渡金属或4f族稀土金属的磁性离子替代Ⅱ一Ⅵ族、Ⅳ一Ⅵ族、Ⅱ一V族或Ⅲ一V族等化合物半导体中的部分非磁性阳离子而形成的新型半导体材料，又可称为半磁半导体(Scmimagnetic semiconductors，SMSC)材料或半导体自旋电子材料。之所以称为稀磁半导体是由于相对于普通的磁性材料，其磁性元素的含量较少。这类材料由于磁性元素的引入而具有一系列不同于普通半导体的奇异性质。如大的g因子，法拉弟旋转，巨磁距，磁光效应等。稀磁半导体的分类由于稀磁半导体的材料是磁性元素和普通半导体的组合材料，大量的磁性元素和众多的半导体材料以补贴方式组合导致产生各种得稀磁半导体分类。通常有以下两种分类方法：按照磁性元素的种类可以分为磁性过渡金属元素基稀磁半导体（如Mn基稀磁半导体）和磁性稀土金属元素基稀磁半导体（如Eu基稀磁半导体）；按照半导体材料来分可以分为化合物半导体和基稀磁半导体（如AlN基稀磁半导体)和单质半导体基稀磁半导体（如Si基稀磁半导体）。目前，人们主要研究III-V和II-VI族化合物基稀磁半导体。1.2稀磁半导体的制备方法与表征技术稀磁半导体的制备方法稀磁半导体的制备方法：分子束外延低温生长技术、离子注入(Ion Implantation)技术、溶胶凝胶法脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)、溅射沉积等方法。.1分子束外延低温生长技术分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)低温生长作为专门的课题很早就得到了研究。在稀磁半导体材料研究领域中，非平衡态的低温生长(200～300℃)是其关键技术。这是因为只有在低的生长温度下才能引入超出固溶度的高浓度的磁离子，且低温生长时的热能不足以在外延层形成第二相。低温下MBE的二维平面生长是保证磁半导体材料质量的关键。MBE方法的优点在于可以精确控制计量比，同时引入高浓度磁性离子。其缺点是生长温度低，不能使用高熔点的源；只限于科学研究，生产规模受限。.2离子注入(Ion Implantation)技术离子注入(Ion Implantation)技术具有许多独特的优势，如良好的选择性注入能力; 注入部不受温度、衬底材料固溶度的限制；不受扩散系数和化合结合力的影响；注入的剂量可控，且与集成电路技术兼容，更具有实用价值；但应用此技术时必须考虑注入后的多孔性和相关表面态、晶格损伤、内外表面难于均匀、注入无序、高温离子轰击时反常的表面侵蚀、注入中的退火温度、电子蛤蜊等问题。.3脉冲激光沉积脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition，PLD)可使多组分物质能够熔化。并沉积在基底上形成化学计量薄膜。首先，将脉冲激光束聚焦在固体靶材表面上，固体表面大量吸收电磁辐射，导致靶材物质快速蒸发，而蒸发的物质在真空中到达基底并沉积在上面形成薄膜。通过控制激光脉冲能量与脉冲重复频率等条件可得到不同厚度的薄膜，甚至可精密调至单原子层厚度的薄膜。与其他溅射技术相比，PLD方法所用靶的体积小，其重要特点是沉积薄膜保留了靶的化学计量比。但PLD方法对沉积生长条件要求较高，尤其是在掺杂控制、平滑生长多层膜方面存在一定的困难。.4溶胶凝胶法溶胶凝胶(Sol—Ge1)法是2O世纪6O年代发展起来的一种制备玻璃、陶瓷等无机材料的新工艺。近年来，此方法广泛应用于各种新型材料的制备，并有较大发展。其基本原理是：将金属醇盐或无机盐经水解直接形成溶胶或经解凝形成溶胶，然后使溶质聚合凝胶化，再将凝胶干燥、焙烧去除有机成分，最后得到无机材料。包括以下几个过程：溶胶的制备；溶胶凝胶转化；凝胶干胶。溶胶凝胶法的优点在于化学均匀性好、高纯度以及可容纳不溶性组分。稀磁半导体的表征技术磁半导体材