CdS半导体材料电子结构研究 .docVIP

【标题】CdS半导体材料电子结构研究 【作者】赵 中 波 【关键词】CdS?半导体材料??第一性原理??结构??电子性质 【指导老师】李 春 霞 【专业】物理学 【正文】1???绪论1.1 引言随着科学技术的迅速发展，半导体科学技术已成为当前最重要的技术之一。半导体科学技术是综合性的科学技术，物理学的研究为之提供了重要的基础。半导体之所以有极为广泛的用途，简单地说是由于在半导体内部电子可以做多样化的运动，它的性质密切依赖于杂质、光照、温度、压力等因素。用半导体制成的各种器件有着极为广泛的用途特别是集成电路和大规模集成电路，已成为现代电子和信息产业乃至现代工业的基础[1]。半导体材料是一种特殊的固体材料，其电阻率在107?～10-3?之间，界于金属和绝缘体之间。半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。半导体材料的种类繁多，按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体；按组成元素分为一元、二元、三元、多元半导体等；按晶态可分为多晶、单晶和非晶半导体；按应用方式可分为体材料和薄膜材料[1]。众所周知，利用半导体硅、锗等可以制造二极管、三极管、集成电路、可控制整流器等，利用半导体材料还可以制造太阳能电池、激光器、发光二极管、致冷器、各种敏感元件以及具有特殊用途的电子元器件。集成电路的迅速发展使电子工业发生了巨大的变化，特别是电子计算机的广泛应用，极大地推动着国民经济各个部门的技术改造，影响着人们生活的各个方面，所有这一切都与半导体理论和技术的发展有着极密切的因果关系。半导体材料已显示出它的许多独特的性能，得到了广泛的应用，并在此基础上建立了庞大的产业，引起了社会的巨大变革．那么它的发展是否巳达到了顶峰？我们认为它的潜力还很大，基于一些原因，在可望的将来，它仍将高速发展，它在人类社会中的地位将变得亘为重要[2]。伴随着计算机科学技术的迅速发展，通过计算机对半导体材料进行模拟和精确的计算，为人类研究半导体的电子结构提供了良好的平台。使人们在将来能制备出更好性能的半导体材料，也为进一步制备稀磁半导体提供了理论基础。因此不论从理论还是从应用上来说都具有非常重要的意义，成为近年来国内外研究的热点。1.2 II-VI族半导体材料的研究现状11-VI族化合物半导体，是指由元素周期表中IIB族元素(Zn, Cd, Hg等)与VIA族元素?(O, S, Se, Te等)所形成的二元、三元乃至四元化合物，通常为闪锌矿结构，具有禁带宽度变化范围大，直接跃迁能带结构，以及离子键成分大等特点，是非常具有研究潜力的一种重要的光电子材料，并且它的制备非常廉价、方便和适合大规模生产。除此以外，硫化镉(CdS)还可以用作光化学催化、光敏传感器、高能射线探测器、图像传感器、储存器和电极等器件的材料，因此它在电子、纺织、机器人技术、医疗和生物技术、国防以及工业控制等方面都有广泛的应用前景。早期，人们对于半导体晶体的了解，只是定性的。但是五十年代以后，情况就完生不同了。一方面由于纯单晶的制备，低温、微波等实验技术上的发展，使人们可以通过回旋共振、磁阻、磁光、光谱等实验来直接测定着干晶体的电子结构，另一方面，由子电子计算机的广泛应用，在理论上也可以进行更精确的计算。对于一些晶体的电子结构，已经有了较清楚的队识[3]。查阅了硫化镉（CdS）和半导体材料的相关文献，文献主要从实验和理论两个方面对CdS进行了研究。然而，还未有文献是利用计算机建模和计算这种方法进行研究的。实验方面有：文献[4]介绍了硫化镉纳米材料的制备方法，如：固相法、液相法和气相法，并展望了硫化镉纳米材料合成技术的发展前景。文献[5]提出了一种以32巯基丙酸为硫源,?采用水热法制备的尺寸小于10nm、具有强光致荧光的闪锌矿型立方CdS半导体纳米晶。用EDS能谱、透射电镜(TEM)?、高分辨透射电镜(HRTEM)和XRD对晶体的化学成分、大小及结构进行了表征,?并分析了影响纳米晶尺寸的因素,?研究了闪锌矿型硫化镉纳米晶的荧光激发与发射谱。文献[6]综述了用于合成和制备纳米材料的方法除化学和物理方法外,?还有仿生法,?尚未见到利用活体生物膜来合成无机纳米材料的报道，利用绿豆芽通过生物膜控制合成了纳米CdS。文献[7]采用反胶束法,在常温和低温下(接近零度)合成了硅土包裹的CdS纳米颗粒.?高分辨电镜表明常温下合成的颗粒呈现直径小于5nm的球形,而在低温下出现了短棒形和长达微米量级的线形.?文献[8]用玻璃沉淀技术制备了含过饱和CdS的玻璃固体溶体。理论方面有：文献[9]利用LMTO?- ASA?方法研究了具有闪锌矿结构的CdS的电子能带结构，在计算中, Cd的4d电子作为价电子考虑,?自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合。计