CMOS与CCD图像传感器性能比较探讨 .docVIP

【标题】CMOS与CCD图像传感器性能比较探讨 【作者】范 登 【关键词】CCD? CMOS??图像传感器??性能比较 【指导老师】贺国权 【专业】电子信息科学与技术 【正文】1.绪论1.1课题研究背景CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）和CCD（Charge Coupled Devices）图像传感器是目前最常见的数字图像传感器，广泛应用于数码相机、数码摄像机、照相手机和摄像头等产品上。两者在结构、性能和技术上均不尽相同。1969年，CCD（Charge Coupled Devices，电荷耦合元件）由贝尔研究所的W.S.Boyle与G.E.Smith发明，并于次年发表[11]。由于CCD具有储存电荷后传输的功能，可广泛应用于内存、显示器、延迟元件等。关键应用（killer applicaticon）的CCD图像传感器，利用称为帧转移（Frame Transfer）方式（FT-CCD）的简单构造,于1971年也由贝尔研究所发表[14]。自从美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后，固体图像传感器便得到了迅速发展，成为传感技术中的一个重要分支，它是PC机多媒体不可缺少的外设，也是监控中的核心器件。互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器与电荷耦合器件（CCD）图像传感器的研究几乎是同时起步，但由于受当时工艺水平的限制，CMOS图像传感器图像质量差、分辨率低、噪声降不下来和光照灵敏度不够，因而没有得到重视和发展。而CCD器件因为有光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点一直主宰着图像传感器市场。由于集成电路设计技术和工艺水平的提高，CMOS图像传感器过去存在的缺点现在都可以找到相应的办法克服，而且它固有的优点更是CCD器件所无法比拟的，因而它再次成为研究的热点。1.2?课题研究介绍目前国内外对CMOS和CCD图像传感器的研究虽然广泛，但大多是单方面的或是对CMOS图像传感器的分析研究，或是对CCD图像传感器的分析研究，也有从产商所给出的参数数据直接对比其性能的研究。CMOS与CCD图像传感器用途非常广泛，对CMOS与CCD图像传感器的性能比较探讨具有重要的应用价值。通过CMOS与CCD图像传感器的性能比较，针对不同应用场合选择不同的图像传感器，主要对CMOS与CCD图像传感器的工作原理进行分析，用实验方法对CMOS与CCD图像传感器外特性进行研究，从而得出结论。本论文将从灵敏度、分辨率、噪声、响应速度、响应均匀性、功耗等主要性能指标方面来作研究探讨。本次研究将用实验的方法对图像传感器主要的性能指标进行测量。2．图像传感器的工作原理2.1 CMOS图像传感器的结构和原理??图2.1.0 CMOS图像传感器集成电路结构及原理结构图CCD与CMOS图像传感器在光检测方面都利用了硅的光电效应原理，不同点在于像素光生电荷的读出方式。CMOS图像传感器芯片的结构（如图2.1.2）。典型的CMOS像素阵列，是一个二维可编址传感器阵列。传感器的每一列与一个位线相连，行允许线允许在所选择的行内每一个敏感单元输出信号送入它所对应的位线上，位线末端是多路选择器，按照各列独立的列编址进行选择。根据像素的不同结构，CMOS图像传感器可以分为无源像素图像传感器（PPS）和有源像素图像传感器（APS）。PPS的光敏单元驱动能力弱，且固定图形噪声FPN较大。目前使用较多的是性能优良的APS，图2.1.1是它的剖面。??图 2.1.1? APS剖面图?图2.1.2 CMOS图像传感器芯片结构　PPS出现得最早，结构也最简单，使得CMOS图像传感器走向实用化，其结构原理（如图2.1.3）所示[3]。每一个像素包含一个光敏二极管和一个开关管TX。当TX选通时，光敏二极管中由于光照产生的电荷传送到了列线，列线下端的积分放大器将该信号转化为电压输出，光敏二极管中产生的电荷与光信号成一定的比例关系。无源像素具有单元结构简单、寻址简单、填充系数高、量子效率高等优点，但它灵敏度低、读出噪声大。因此PPS不利于向大型阵列发展，所以限制了应用，很快被APS代替。?图2.1.3 PPS像素结构图光敏二极管像素单元如图2.1.4所示。它是由光敏二极管，复位管M4，源跟随器M1和行选通开关管M2组成，此外还有电荷溢出门管M3，M3的作用是增加电路的灵敏度，用一个较小的电容就能够检测到整个光敏二极管的n+扩散区所产生的全部光生电荷，它的栅极接约1V的恒定电压，在分析器件工作原理时可以忽略将其看成短路。电荷敏感扩散电容用做收集光生电荷。复位管M4对光敏二极管和电容复位，同时作为横向溢出门控制光生电荷的积累和转移。源跟随器