单晶生长技术小结.pdfVIP

单晶生长技术 单晶生长技术 内因是决定因素 外部条件的影响 大单晶培养方法 单晶挑选和保存 内因是决定因素 金属离子和配体的结构是MOFs结构和性能的决定 因素。一般来说： 1、过渡金属离子，如Zn, Cd, Co, Ni, Cu, Mn，Ag 等易与O, N, S等原子配位；而稀土离子，如Nd, Ce, La, Sm, Dy, Td, Y等更易与O配位。 2、有机配体中基团配位能力：CO -~ Ar-N C-O- 2 （软硬酸碱理论） 3、磁性类材料用金属离子：Mn, Fe, Co, Ni, Cu(I), Gd等； 发光类材料用金属离子：Zn, Cd; Tb, Eu等； 电导类材料用金属离子：Ag, U等。 外部条件的影响 控制过饱和度是溶液中生长晶体的最 关键的因素。 (1) 晶体只有在过饱和溶液中生长才 能确保其质量。 (2)过饱和度大，晶核多，晶体颗粒小; 低饱和度，速度较慢。 (3)大晶粒，可用籽晶进行再结晶或长 时间放置，或利用蒸汽扩散法，使过饱和 度缓慢地变化。 表一 外因 影响 温度 A. 温度越高: (利) 晶体越完善, (弊)生长越快、缺陷多 B. 低温合成：-78~70o o C；水热和溶剂热：70-250 C； o 高温合成（固相）：250 C 以上 C. 升温、降温速度影响晶体生长与外形: 越慢越好(程 序控温) 溶剂 A.混合均匀是关键:(1)相似相溶;(2)搅拌充分 o o B.常用溶剂: ♠水;♠甲或乙醇(160 C);♠DMF(90 C); o ♠DMSO (很弱的氧化性,150 C); ♠乙二醇;♠混合溶剂 混合溶剂 浓度 溶液越稀:(利) 晶体大,缺陷少;(弊) 晶体少或没有。 一般来说,10ml溶剂, 溶质0.2mmol-1.0 mmol 表二 外因 影响 杂质 影响晶体学、动力学和热力学等方面的效 应;溶剂和金属盐的阴离子可看成杂质，极少 量水以改变溶解度和溶液的黏度，有利于晶体 生长；絮状晶体可能是杂质引起。实验药品纯 度高；仪器洁净均要保持，溶液不要暴露在空 气中。 常用金属源:硝酸盐, 卤化物,氧化物，高氯 酸盐( 易爆)等。 pH值 pH值的影响相当复杂，包括通过影响溶解 度,改变杂质活性等间接或直接影响晶体生长。 实验培养晶体较适合的PH值是6.5-7.0。 常用酸碱: HClO ;H SO ;HCl; MOH(Na, K, 4 2 4 Li); 尿 素 ; 氨 水 ; Et N