南开大学-赵 颖--薄膜电池及新型电池研发现状和发展趋势分析.pdf

光电子薄膜器件与技术研究所 薄膜电池以及新型电池研发 现状和发展趋势分析 赵 颖 北京，2012年4月17日 光电子薄膜器件与技术研究所 报告内容 报告内容 一、硅基薄膜太阳电池 一、硅基薄膜太阳电池 二、碲化镉薄膜太阳电池 二、碲化镉薄膜太阳电池 三、铜铟镓硒薄膜太阳电池 三、铜铟镓硒薄膜太阳电池 四、结语 四、结语 第十一届中国太阳能光伏大会 第十一届中国太阳能光伏大会 南京，2010.11.18-20 南京，2010.11.18-20 光电子薄膜器件与技术研究所 原材料丰富，无毒、无污染 原材料丰富，无毒、无污染 节省材料 (硅烷，晶体硅1/100消耗) 节省材料 (硅烷，晶体硅1/100消耗) 制造温度低 (～200℃，能量回收期短) 制造温度低 (～200℃，能量回收期短) 材料器件同步完成，便于大面积连续生产 材料器件同步完成，便于大面积连续生产 2 2 （～m ） （～m ） 应用范围广 (柔性、半透明、BIPV) 应用范围广 (柔性、半透明、BIPV) 光电子薄膜器件与技术研究所 光电子薄膜器件与技术研究所 提高效率 提高效率 降低成本 降低成本 实验室效率： 实验室效率： 光电子薄膜器件与技术研究所 初始 稳定 初始 稳定 单结： ～10％ 6－8 ％ 单结： ～10％ 6－8 ％ 双结： 13％ ～10％ 双结： 13％ ～10％ 三结： 15.2% ～13％ 三结： 15.2% ～13％ 三结（a-Si/a-SiGe/uc-Si）：16.3% 三结（a-Si/a-SiGe/uc-Si）：16.3% 商业化电池效率（稳定效率）： 商业化电池效率（稳定效率）： 单结非晶： 3 ％～6 ％ 单结非晶： 3 ％～6 ％ 双结非晶： ～5-7 ％ 双结非晶： ～5-7 ％ 三结(a-Si/a-SiGe/a-SiGe) ： 三结(a-Si/a-SiGe/a-SiGe) ： 7 ％ ～8.5％ 7 ％ ～8.5％ 双结（a-Si/uc-