SOI自加热效应研究进展.docVIP

  SOI 自加热效应研究进展# 郑晓虎，黄安平，肖志松** （北京航空航天大学物理系，北京 100191） 5 10 15 20 25 30 35 40 摘要：随着绝缘体上硅(Silicon on Insulator 简称 SOI) 技术的不断发展，SOI 器件的自 加热效应得到了广泛的关注。通过各种软件模拟及相关实验，SOI 器件自加热效应的精确测 量、影响因素以及改进措施等方面的研究都已取得了重大进展。本文综述了 SOI 器件自加热 效应的研究历程、最新进展以及今后的发展趋势等。 关键词：绝缘体上硅；自加热效应；寄生电容；闩锁效应 中图分类号：TN3 Progress in Self-Heating Effects of Silicon-on-Insulator Device ZHENG Xiaohu, HUANG Anping, XIAO Zhisong (Department of Physics, Beihang University, Beijing 100191) Abstract: :With the development of silicon-on-insulator (SOI) technology, self-heating effects of SOI device have been widely concerned in the last few years. The relative studies on the self-heating effects of SOI device have made significant progresses in many aspects such as its accurate measurement, impacting factors and improving ways and so on via the numerical simulation and experiments. In this paper, recent progress, the issues to be solved and the future trend on self-heating effects of SOI devices are reviewed. Keywords: Silicon-On-Insulator Device; Self-Heating Effect; Parasitic Capacitance; Latch-up Effect 0 引言 随着超大规模集成电路特征尺寸逐步缩小到 100 m，在材料技术、器件理论、器件结构 以及制作工艺等方面出现了一系列新的问题，使得亚 100 nm 成电路的功耗、可靠性以及电 路的性价比受到较大影响。绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator 简称 SOI)器件以其独特的绝缘埋 层结构，在降低寄生电容、克服闩锁效应等方面有着不可替代的优势，然而，由于 SiO2 埋 层的热传导率远远低于体硅，SOI 器件散热缓慢，热量不断积累，导致器件工作温度升高， 严重影响器件的可靠性和稳定性。此效应被称为 SOI 器件的“自加热效应”，它是指器件工作 时沟道电流产生的热量造成器件内部温度升高，导致器件特性退变的现象。“自加热效应” 导致器件特性漂移、沟道电流下降、跨导畸变以及载流子的负微分迁移率形成等，严重影响 器件性能。因此，SOI 器件自加热效应的精确测量、主要影响因素分析以及改善措施等方面 的研究十分重要。 1 SOI 器件自加热效应的由来 早在 1989 年，McDaid 等就在研究 SOI 器件输出特性曲线时发现了负微分电导现象[1]。 所谓“负微分电导现象”，即随着漏端电压的增大，漏端电流减小，出现负微分电导。通过研 究发现，负微分电导现象是由沟道功率消耗引起的局部温度升高引起，即自加热效应。自此， SOI 器件中的自加热效应逐步被认识和重视并广泛研究。 基金项目：教育部博士点基金（批准号：200800061055）项目资助 作者简介：郑晓虎，（1986-），男，硕士研究生，研究方向半导体器件与物理。 通信联系人：黄安平，（1974-），男，现为北京航空航天大学物理系副教授，研究方向为半导体器件物理。 E-mail: aphuang@buaa.edu.cn -1-   大量相关实验工作相继展开并测量出了负微分电导现象。Neel 通过电学静态研究[2]，重 建静态参数下的输出曲线，指出了考虑自加热的实际情况与仅考虑电学特性的重建曲线之间 的明显差异（如图 1）。Caviglia[3]， Su[4]以及 Chen[5]等均测量出负微分电导现象。  45 50 55 60  图 1 静态特性