磁控溅射法制备BaTiO3_Nb_SrTiO3薄膜的漏电流机制分析.docVIP

  磁控溅射法制备 BaTiO3/Nb:SrTiO3 薄膜的 漏电流机制分析# 潘瑞琨，章天金** 5 10 15 20 25 30 35 （湖北大学材料科学与工程学院） 摘要：钙钛矿氧化物钛酸钡(BaTiO3)具有高介电常数及铁电、压电和正温度系数效应等优异 的电学性能, 广泛用于电子陶瓷工业中，也是高密度随机动态存储器、微波器件、压敏及热 敏器件很好的候选材料。以前文献报道多集中于 100nm 以上厚度的薄膜或体材的结构特点 及电学性质。本文在 Nb 掺杂的 SrTiO3 单晶衬底上，采用磁控溅射法制备了 60nm 厚度的 BaTiO3 薄膜，并测试分析了其微观结构与漏电流特性。AFM 和 XRD 测试表明 BaTiO3 薄 膜表面平整、为多晶结构。I-V 测试表明，薄膜的 I-V 曲线遵循 Lampert 三角形规律，即漏 电流表现为与陷阱相关的空间电荷限制电流机制。 关键词：铁电薄膜；磁控溅射法；漏电流 中图分类号：O484.3 文献标志码：A Leakage current mechanism of BaTiO3/Nb:SrTiO3 film prepared by sputtering PAN Ruikun, ZHANG Tianjin (School of Materials Science Engineering, Hubei University, Wuhan 430062) Abstract: BaTiO3 is a perovskite oxide, which has high dielectric constant, good ferroelectric and piezoelectric with other properties. BaTiO3 has been widely used in electric ceramics and it is the candidate material in RRAM, microwave and other applications. In this paper, 60-nm-thickness BaTiO3 film was prepared on Nb-doped SrTiO3 crystal substrate by the RF magnetron sputtering technology. Results of AFM and XRD show that BaTiO3 film was smooth surface and polycrystalline. I-V curves matched well with the Lamperts triangle rule, which was dominated by the space charge limited current mechanism related with traps. Key words: ferroelectric film; magnetron sputtering; leakage current 0 引言 BaTiO3 (BTO)是具有较高的自发极化、介电常数和居里温度的铁电材料，其带隙宽度约 3.2 eV [1]，在高密度随机动态存储器、微波器件、压敏及热敏器件等方面有很好的应用。近 年来又发现 BTO 薄膜材料具有电阻开关效应，与之有类似效应的钙钛矿材料还有 SrTiO3, BiFeO3, Pb(Zr,Ti)O3, Pr1?xCaxMnO3 等[2-7]。 BTO 和 SrTiO3 具有接近的晶格常数，而 Nb 掺杂的 SrTiO3 晶体(NSTO)电导率较高，可 以作为底电极兼衬底使用[8]。已有人采用磁控溅射法制备了外延的 BTO/NSTO 薄膜，还有 采用脉冲激光法制备外延的 BTO/NSTO 薄膜[9, 10]。 对介质材料而言，人们一般都希望其漏电流尽量小。但是当介质薄膜的厚度降低到数 十甚至几个纳米时，由于隧穿效应、发射机制或导电细丝形成(filament conduction) [11]，漏电 基金项目：教育部博士点基金(200805120002) 作者简介：潘瑞琨（1974-），男，副教授，主要研究铁电薄膜材料及其集成器件 通信联系人：章天金（1965-），男，教授，主要研究铁电材料与器件. E-mail: tj65zhang@ -1-   40 45 50 55  流不可能很小，例如在铁电隧道结(FTJ)以及电阻随机存储器(RRAM)中，微安级或毫安级的 漏电流是常见的[12-14]。而对于 100nm 以下厚度的薄膜漏电流分析，相关文献报导较少，本 文基于此目的，对 60nm 厚度的 BTO 薄膜漏电流作了测试与导电机理分析