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科学研究论文 《基地物理》 2013 年第1 期 一种新型CaZrO 光存储材料的上转换光激励发光现象及其 3 光存储性能的研究 1 2 刘学 ，冯鹏飞 （1. 物理 学与技术学院 10 级材料化学专业，甘肃 兰州 730000 ） 要： 我们采用高温固相法得到了具有钙钛矿结构的CaZrO 材料。紫外蓄能后，其在980 nm 3 红外激发下表现出320-550 nm 的蓝紫色光激励发射。CaZrO3 的余辉发光时间仅有94 s ，说 明其仅有很少的浅陷阱。热释光谱结果表明：CaZrO3 中至少有两种类型的深陷阱存在，计 算所得的深度大约为1.13 eV 和1.55 eV。我们对CaZrO3 中深陷阱受浅陷阱的影响进行了分 析，并对其光致发光，余辉发光以及光激励发光的机理进行解释。结果说明CaZrO3 是一 潜在的、优秀的光存储材料。 关 键 词： 光存储；上转换光激励发光；CaZrO3 1 引 言 近年来，电子俘获型发光材料因其储能、节能、不消耗电能而把吸收的自然光储存起来 的特点而受到了广泛的关注。1986 年Lindmayer 首先发现IIA-VIB 化合物中某些杂质离子 的电子在光的作用下存在被陷阱俘获和释放的现象，从而发展了一种新的可擦除光存储系 [1] 统，并提出了一 新型超高存储密度的光存储介质 电子俘获型光存储材料”这个概念 。 即首先用较短波长激光使光 特定斑点处 （纳米范围内）的价带电子在ps 级别的时间内激 发到高能级并很快落入陷阱能级中，完成信息写入；然后再用较长波长的激光使陷阱能级中 的电子释放并返回基态发射一定波长的光，完成信息读出。由于电子俘获过程是一 高度局 8 域化的光电子过程，电子俘获型光存储材料具有极快的（10 次/秒，即快至 ns 级）写、读 速度，可进行无数次擦/写操作，不存在信息读取的 噪声问题”，而且其写、读、擦循环不 [2] 受介质物理性能退化和恶劣存储环境的影响，可真正实现信息的永久存储 ；另一方面， 12 2 与传统烧坑存储光 相比，其存储能力将提高4 个数量级（10 bits/cm ）；最为重要的是， 如果利用不同波长的光写入或读出，将可实现多维光信息存储，使得真正的海量存储成为可 能。由于电子俘获型光存储材料具有众多优点，它在超高密度、超高速度光 存储、影像存 储、信息处理、光量子计算、红外探测、红外上转换成像、辐射剂量测定等领域具有非常广 阔的应用前景和重大的应用价值，所以该类材料被许多著名科学家预言为 最有希望的下一 代信息存储材料” [3] 。 由上述可见：超高密度光存储技术实现的关键在于寻找性能优异的电子俘获型光存储材 料，并研究它们在光作用下的光学性能和微观机理。而 电子俘获型光存储材料”的概念自 1986 年提出以来，研究对象主要为碱土金属硫化物（CaS，BaS，SrS ，ZnS 等），然而硫化 —————— 基金项目：兰州大学创新创业项目 (No.20 120563) 资助项目。 通讯作者：刘学（1992－），男，江苏省徐州市人；指导教师为张加驰副教授。 联系方式：E-mail:xliu2010@lzu.edu.cn，Tel. 论文说明：刘学同学在本论文中的相关实验结果已经以第一作者发表到SCI 二区期刊J. Alloys Comp.。