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二、光电元件及特性 1．光电管 如图所示为光电管的符号和基本工作电路。光电管的结构分别由真空管、光电阴极K和光电阳极A组成。当一定频率光照射到光电阴极时，阴极发射的电子在电场作用下被阳极所吸引，光电管电路中形成电流，称为光电流。对于不同频率的入射光不同材料的光电阴极有不同的灵敏度，人们可以根据检测对象是可见光、红外光或紫外光而选择不同阴极材料的光电管。 紫外管外形 当入射紫外线照射在紫外管阴极板上时，电子克服金属表面对它的束缚而逸出金属表面，形成电子发射。紫外管多用于紫外线测量、火焰监测等。 光敏电阻 当光敏电阻受到光照时， 阻值减小。 光敏电阻演示 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值减小，电流增大。 2）特性 光敏电阻工作原理是基于内光电效应，其特性和参数如下： （1）暗电阻。置于室温或全暗条件下的稳定电阻值称为暗电阻，此时流过电阻的电流称为暗电流。 （2）亮电阻。置于一定光照条件下测得稳定电阻值称为亮电阻，此时流过电阻的电流称为亮电流。 （3）伏安特性。光敏电阻两端所加的电压和流过光敏电阻的电流间的关系称为伏安 特性，如图所示。 从图中可知，伏安特性 近似直线，但使用时应限制 光敏电阻两端的电压，以免 超过虚线所示的功耗区。 光电池外形 能提供较大电流的大面积光电池外形 2）基本特性 光电池的工作原理是基于光生伏特效应。它的种类很多，有硅、硒、硫化铊、蹄化镉等，其感光灵敏度随材料和工艺方法的不同而有差异，目前应用最广泛的是硅光电池，它具有性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，传递效率高等优点，但对光的响应速度还不够高。另外，由于硒光电池的光谱峰值位置在人眼的视觉范围内，所以很多分析仪器、测量仪器也常用到它，下面着重介绍硅光电池的基本特性。 （1）光谱特性 图4－11所示为硒光电池和硅光电池的光谱特性曲线，即相对灵敏度Sr和入射光波长之间的关系曲线。从曲线上可看出，不同材料的光电池的光谱峰值位置是不同的。例如硅光电池可在0.45μm～1.1μm范围内使用。而硒光池只能在0.34μm～0.57μm范围内使用。 （2）光电特性 图4－12所示为硅光电池的光电特性曲线，其中光生电动势U与光照度Ee间的特性曲线称为开路电压曲线；光电流强度Ie与Ee间的特性曲线称为短路电流曲线 图4-11 光电池的光谱特性 图4-12 硅光电池的光电特性 （3）频率特性 硅光电池具有较高的频率响应，而硒光电池较差。因此，在高速计数器、有声电影以及其它方面多采用硅光电池。 （4）温度特性 光电池的温度特性是描述光电池的开路电压U、短路电流I随温度t变化的曲线。由于它关系到应用光电池设备的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等主要指标，因此，它是光电池的重要特性之一。光电池的开路电压随温度增加而下降的速度较快，短路电流随温度上升而增加的速度却很缓慢，因此，在将光电池作为敏感元件的自动检测系统设计时就应该考虑到温度的漂移，需采取相应措施进行补偿。 光电池在动力方面的应用 光电池在动力方面的应用（续） 光电池在动力方面的应用（续） 光敏二极管外形 光敏二极管 将光敏二极管的 PN 结设置在透明管壳顶部的正下方，光照射到光敏二极管的PN 结时，电子-空穴对数量增加，光电流与照度成正比。 光敏二极管的反向偏置接法 在没有光照时，由于二极管反向偏置，所以反向电流很小，这时的电流称为暗电流，相当于普通二极管的反向饱和漏电流。当光照射在二极管的PN结（又称耗尽层）上时，在PN结附近产生的电子-空穴对数量也随之增加，光电流也相应增大，光电流与照度成正比。 光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示 在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。 光敏三极管外形 有时生产厂家还将光敏三极管与另一只普通三极管制作在同一个管壳里，连接成复合管型式，如图4－14（e）所示，称为达林顿型光敏三极管。 它的灵敏度更大（β＝β1β2）。但是达林顿光敏三极管的漏电（暗电流）较大，频响较差，温漂也较大。 3）特性 （1）光谱特性 光敏晶体管硅管的峰值波长为0.9μm左右，锗管的峰值波长为1.5μm左右。由于锗管的暗电流比硅管大，因此，一般来说，锗管的性能较差，故在可见光或探测赤热状态物体时，都采用硅管。但对红外光进行探测时，则锗管较为合适。 （2）伏安特性