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霍尔效应及霍尔元件的研究 1 2 李洋 ，张宁 (1.中国石油大学（华东）物理科学与技术学院应用物理学 05 级四东营257000; 2.中国石油大学（华东）物理科学与技术学院应用物理学 05 级四东营257000） 摘要：本文首先用霍尔效应法验证了电磁铁的励磁电流与产生磁场的线性关系,测量了 电磁铁气隙内的磁感应强度分布，同时研究了InSb的正反磁电阻特性及其灵敏度,对电 磁铁的剩磁进行了测量并对霍尔电压测量中不可忽视的副效应进行了讨论,最后对霍尔 元件导电类型的判断及相关参量进行了分析. 关键词：霍尔效应;励磁电流;输出特性;磁电阻特性;灵敏度 中图分类号：**** 文献标志码：A 1 引言 薄片状、长方形厚度为 d 的半导体处于磁场中（磁场B 垂 直作用于该半导体），当有电流I 流过时，由于洛伦兹力作用， 电子流方向要发生改变，在薄片两个横向M 、N 之间就产生电 势差，称为霍尔电势差，这种现象称为霍尔效应.（如图1所示.） j I 由于v (1) nq nqa ⋅d 图 1霍尔效应示意图 FB Bqv Bq ⋅ I (2) nqad F E q E (3) 当电场力和磁场力达到平衡时： 有 F E F B (4) 由以上诸式得： E B v I B (5) n q a d IB R ⎛ ⎞ U E=⋅a H IB K IB H ⎜ ⎟ H (6) nqd d ⎝ ⎠ 1 其中UH ：霍尔电势差，KH ：霍尔元件灵敏度，RH ：霍尔系数. nq 霍尔效应是研究半导体材料电学性能的重要方法，根据霍尔效应可以确定半导体的 导电类型及载流子浓度，并且可以进一步测量霍尔系数随温度的变化，以确定半导体的 禁带宽度、杂质电离能等性能参数;利用半导体材料制成的霍耳元件，特别是测量元件， _____________________________________ 收稿日期： ;修回日期： 基金项目：*********** 作者简介：李洋（1988—），男，山东东营市，大学本科，*****. 通讯作者：张宁.E-mail：longliy_1@163.com 1 广泛应用于工业自动化和电子技术等方面. 在通有电流的金属或半导体上施加磁场时，其电阻值将发生明显变化，这种现象称 为磁致电阻效应, 简称磁电阻效应. 磁电阻效应包括物理磁电阻效应和几何磁阻效应; 如果半导体中载流子所受的霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵 消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外