PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展毕业设计.docVIP

毕业设计(论文) ( 2013届) 题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 学 号 1003020147姓 名 钟建斌 所 属 系 新能源科学与工程学院专 业材料加工及技术应用 班 级 10材料(1)班 指导教师 胡耐根 新余学院教务处制 目录 摘要 1 Abstract 2 第一章 氮化硅薄膜的性质与制备方法 3 1.1 氮化硅薄膜的性质 3 1.2与常用减反射膜的比较 4 1.3 氮化硅薄膜的制备方法 6 第二章 工艺参数对PECVD法制备氮化硅减反膜性能的影响研究 9 2.1 温度对双层氮化硅减反膜性能的影响 9 2.2 射频频率对双层氮化硅减反膜性能的影响 10 2.3 射频功率对双层氮化硅性能的影响 10 2.4 腔室压力对氮化硅减反膜性能的影响 11 2.5 优化前后对太阳电池电性能对比分析 12 第三章 结论与展望 14 参考文献 16 致 谢 17 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 摘要 功率半导体器件芯片制造过程中实际上就是在衬底上多次反复进行的薄膜形成、光刻与掺杂等加工过程,其首要的任务是解决薄膜制备问题。随着功率半导体器件的不断发展,要求制备的薄膜品种不断增加,对薄膜的性能要求日益提高,新的制备方法随之不断涌现,并日趋成熟。以功率半导体器件为例,早期的器件只需在硅衬底上生长热氧化硅与单层金属膜即可;随着半导体工艺技术的进步和