图形衬底上应变SiGeSi的结构及光致发光研究.pdfVIP

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1999　 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S M ay 图形衬底上应变 超晶格 SiGe Si 的结构及光致发光研究 司俊杰　杨沁清　高俊华　滕　达　王启明 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 郭丽伟　　周均铭 ( 中国科学院物理研究所　北京　100080) 摘要　 本文研究了在 的图形衬底上生长应变 超晶格的结构和其光致发光性质. 图 Si SiGe Si ( ) 形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成. 发现在组成倒金字塔结构的 111 面的交界处有富 Ge 的SiGe 量子线出现. 对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变 SiGe 层的光致发光谱进 行了比较, 图形衬底上总的发光强度相对提高了52 倍. 认为这种提高同富 Ge 的SiGe 量子线 的产生相关. PACC: 7855, 6 116, 6855 1　引言 能够在 Si 衬底上以同现有的大规模集成电路工艺相兼容的方式, 制作出发光器件, 是 光电集成领域中的重要研究课题. 这将使我们实现硅单片光电集成, 完成由微电子向光电子 [ 1 ] 的转变 . 硅材料的能带属于间接带隙结构, 所以它的光跃迁复合效率比起直接带隙材料要 低很多. 量子结构利用能带工程的方法, 提供了改善其发光效率的一种手段. 应变 量子结构中, 尽管 材料仍具有间接带隙的特点, 但 价带与 价 SiGe Si SiGe SiGe Si 带间较大的带边偏移, 提高了对空穴载流子的限制. 不规则分布的Ge 在 SiGe 应变层中加 [2 ] 强了电子与空穴波函数的交叠, 使得无声子辅助光跃迁几率大大增加 . 平面衬底上生长应 [3 ] 变 量子阱结构的无声子参与的 峰跃迁已经得到证实和广泛研究 . 为了增加 SiGe Si N P 应变量子阱的发光效率, 我们曾在选择性腐蚀构造的 的非平面衬底上生长应变 SiGe Si