半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概论.pdfVIP

电子下载站 资料版权归合法所有者所有 严禁用于商业用途 半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述 常剑 蒋登高 詹自力 宋文会 摘 要：本文结合半导体金属氧化物的电学特性，从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的 角度出发，对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关，因而从表面吸 附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有 着重要的意义。 关键词：气敏机理；半导体金属氧化物 中图分类号：TP212.2 文献标识码：A 文章编号：1006-883X(2003)08-0014-05 一、前言 随着现代工业的发展，一方面，工业生产中使用及产生的有毒、可燃气体的种类及数量日益增多； 另一方面，液化石油气、城市煤气和天然气也作为家庭用燃气广泛使用。近几年，有毒气体中毒及由可 燃性气体泄漏引起的爆炸、火灾事故数量正逐年上升。同时，大气污染问题也越来越多的引起了人类的 广泛关注。随着环保意识的提高，人们对大气监测传感器、气体传感器也提出了更高的要求。 气体传感器是对气体所含特定成分的物化性质作出感应，并将其转化为适当的电信号，从而对气体 种类及浓度作出检测的传感器。SnO 、ZnO、Fe O 等半导体金属氧化物作为气敏材料已被广泛使用，In O 2 2 3 2 3 作为新型的气敏材料也已引起研究者的关注，但人们对气敏机理的认识仍较为模糊，对敏感机理的研究 工作也落后于实际应用。 半导体金属氧化物气敏机理的经典分类是依据其电学性质进行的，康昌鹤 ［1］ 等将半导体金属氧化物 ［2］ 的气敏机理分为表面电阻控制机理、体电阻控制机理及非电阻控制机理；而冯祖勇 则进一步将其分为 表面电阻控制模型、体电阻控制模型、吸附气体产生新能级模型、隧道效应模型、控制栅极模型和接触 燃烧模型。 本文主要从气体分子与敏感材料相互作用的角度出发，结合气敏材料电学特性（电导、电容、电压）， 对半导体金属氧化物气敏材料敏感机理作一概述，以期对反应机理、反应动力学的研究有所裨益。 二、吸、脱附模型 早在 20 世纪 30 年代研究者就已经发现了半导体金属氧化物与O2 、CO等气体接触时其电导及功函数 会发生变化的现象，60 年代起科学家开始使用气、固界面吸附理论解释这一现象，并利用这种半导体表 面现象进行气敏检测 ［3］。吸、脱附模型是指利用待测气体在气敏材料上进行物理或化学吸、脱附，引起 材料的电学性质发生变化从而达到检测目的的模型。 1、物理吸、脱附模型 物理吸、脱附模型是利用气体与材料的物理吸、脱附进行检测的。如水蒸气（湿敏）传感材料，就 可利用物理吸附的水分子引起材料的表面电导率发生变化进行检测，也可用吸附的水分子引起材料电容 ［3］ 变化而进行检测 。 2、化学吸、脱附模型 化学吸、脱附模型是利用气体在气敏材料上的化学吸、脱附进行检测的。 Jun Tamaki等 ［4］ 采用电子束蒸发法制得不同掺杂的In O 气敏材料及薄膜型传感器，这种传感器对Cl 2 3 2 气体有着极好的敏感特性，研究者认为Cl 在In O 气敏材料上主要发生如下反应： 2 2 3 欢迎光临中国最大的电子工程师应用网站 网址： 电子下载站 资料版权归合法所有者所有 严禁用于商业用途 － － 1/2 Cl ＋e →Cl (ads) 2 1/2