Ｎ掺杂ＺｎＯ薄膜的荧光特性研究_王金香.docVIP

Ｎ掺杂ＺｎＯ薄膜的荧光特性研究 王金香１，沈洪雪２，彭小波２，王芸２，刘银１ （１安徽理工大学材料科学与工程学院，安徽淮南２３２００１） （２中国建材国际工程集团有限公司，浮法玻璃新技术国家重点实验室，安徽蚌埠２３３０１８） 摘　要：以Ｎ２为掺杂源，通过改变Ｏ２∶Ｎ２比，利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有［００２］择优取向的Ｎ掺杂ＺｎＯ薄膜，研究了ＺｎＯ薄膜的光致发光谱随着Ｎ掺入量的不同而变化的规律．结果表明，薄膜主衍射峰为 ４０２ｎｍ处的发光峰；由于Ｎ掺杂量的不同，有的薄膜在４４５ｎｍ和５２４ｎｍ处也有发光发存在，但随着薄膜Ｎ含量的不同，其发光峰强度明显不同，其峰位也发生了相应的红移或者蓝移．当Ｏ２∶Ｎ２为１０∶１５时，制备的薄膜Ｎ掺杂量最大，光学性能最好，此工艺为研究ＺｎＯ薄膜的缺陷类型及导电类型提供了重要的研究参考． 关键词：氮掺杂；磁控溅射；光致发光谱；受主杂质；蓝移 ０　引言 ＺｎＯ是一种直接带隙宽禁带半导体材料，其激子束缚能为６０ｍｅＶ，光子增益为３００ｃｍ－１，具有优良的压电、气敏性能和高的化学稳定性，因而被广泛用于电子及光电装置，因此对ＺｎＯ的研究也受到广泛的关注［１－３］． ＺｎＯ具有六角纤锌矿结构，这种结构所包含的大量空隙可以很容易地容纳填隙原子，因此本征ＺｎＯ薄膜由于在制备的过程中具有氧缺乏和锌过剩的原因而相应产生氧空位和锌填隙等本征施主缺陷，使薄膜表现出ｎ型半导体的特性［４］．同时由于上述特性，使ＺｎＯ薄膜掺杂也变为可能．文献［５－６］表明掺杂不仅能引起杂质能级峰，还能调节ＺｎＯ材料的禁带宽度，同时还能改变ＺｎＯ薄膜的缺陷类型，进而改变薄膜的导电类型．Ｎ 掺杂在ｐ型ＺｎＳｅ上 的成功以及基于ＺｎＯ的理论计算都显示Ｎ是ｐ型ＺｎＯ的一种理想掺杂元素．众多的研究组都对Ｎ掺杂的ｐ型ＺｎＯ进行了报道，但只有少数详细报道了其发光特性［７－９］．本文利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了不同Ｎ 掺杂浓度的ＺｎＯ 薄膜，对其特性进行了表征，并详细分析了不同Ｎ 掺杂ＺｎＯ 薄膜的光致发光特性，阐明了不同Ｎ 掺杂量对ＺｎＯ薄膜光学性能的影响机理． １　实验 实验样品是在ＦＪＬ５６０Ｂ１型超高真空多靶磁控溅射设备上制备的，以玻璃为衬底，靶材采用高纯陶瓷ＺｎＯ（９９．９９％）靶，在进行镀膜前，真空室的真空度为３．０×１０－５　Ｐａ．工作时，通入溅射气体高纯氩气（９９．９９％）进行起辉，同时通入反应气体高纯氧气（９９．９９％）和高纯氮气（９９．９９％），在能正常起辉的情况下，保持氩气流量为５０ｍＬ／ｍｉｎ不变，Ｏ２∶Ｎ２在２０∶５，１５∶１０，１０∶１５，５∶２０之间进行变化，溅射功率为２００Ｗ 左右，溅射时间为１ｈ，工作气压为１．０Ｐａ，同时为了在进行镀膜的过程中保证所镀膜层的高质量，衬底在放入溅射腔室前必须进行严格的丙酮、酒精、去离子水等清洗以去除表面的油污和灰尘． 采用日本Ｒｉｇａｋｕ制造商生产的Ｄ／Ｍａｘ－ｒＢ型Ｘ射线衍射仪（ＣｕＫａ，波长λ＝０．１５４０６ｎｍ）对样品的晶体结构和结晶质量进行表征．同时利用日立公司出产的ＦＬ－４５００荧光分光光度计，激发源为氙（Ｘｅ）灯，激发波长为３２５ｎｍ，对薄膜进行室温荧光光谱测试， 并着重分析其光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）特性，研究相关机理． ２　结果与讨论 ２．１　结构分析 图１为Ｎ掺杂ＺｎＯ薄膜的ＸＲＤ图谱，从图中发现Ｎ掺杂ＺｎＯ薄膜具有明显的ｃ轴择优取向，仍然是（００２）为主的六角纤锌矿结构．其对应的２θ值为３３．６０°，衍射峰强度达到了５０８２．５，半高宽为１．２５７°，但由于在制备薄膜的过程中我们刻意进行了Ｎ掺杂，所以２θ 值相对于粉末状ＺｎＯ 的２θ 值（３４．４０°）向小角度进行了偏移，这是由于Ｎ离子半径（０．１４６ｎｍ）与Ｏ离子半径（０．１３８ｎｍ）很接近，在进行Ｎ掺杂的过程中发生了Ｎ代Ｏ，进而导致了晶格畸变，晶格常量增加，使其２θ向小角度偏移，不仅如此，在２θ为６９．２２°处发现了Ｚｎ３Ｎ２（６４０）化合物的衍射峰，此时的Ｎ虽然不是以Ｎ元素的形式存在，以化合物的形式存在，但这也说明Ｎ 已经与薄膜中多余的Ｚｎ结合，降低了作为施主缺陷的锌间隙（Ｚｎｉ）的浓度，从而降低了自补偿效应［１０］．而且在制备薄膜的整个过程中，虽然以陶瓷ＺｎＯ 作为靶材，但仍然通入了氧气，并且保证了氧气的充足，一方面促进了Ｎ代Ｏ的进行，另一方面减少了施主缺陷氧空位（ＶＯ）的产生，通过Ｎ的掺入使受主浓度增加，进而改变ＺｎＯ薄膜的导电类型，而且从整体来看，所制备的Ｎ 掺杂ＺｎＯ 薄膜的结晶质量还是非常好的． ２．２　荧光特性分析 ＺｎＯ薄膜的导电类型主要受其缺陷控制，如果施主缺陷占主导地位，薄膜就呈现ｎ型导电，如果受主缺陷浓度较大，那么薄膜就表现出ｐ型导电．Ｐｅｎｇ－ｓｈｏｕ等