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置CItNOLOGYLECTURE
电磁兼容原理和抑制技术 (八 )
区健昌
(续上期 ) 三=搭接构件的间隙深度或搭接构件的材料厚度 ,时
fc=间隙截止频率,MHz。对于矩形间隙 :=5900g/;
2.5屏蔽加固措施
对于圆形间隙 :=6920g/
以上指出除了低频磁场屏蔽外,在从直流到 日光的整 fz =工作频率,MHz;g=间隙最大横向尺寸,时
个频谱上对电波和电磁波很容易得到101IdB以上的屏蔽效 当 》 时,对于矩形问隙 :
能。但是,由于任何实际机壳都有-fLN造成的完整性损失, dB=0-(){)46Lf=27L/g dB (66)
而实际机壳例如只有50dB衰减。所以从来得不到理论屏 对于圆形 日『J隙 :
蔽。本节讨论如何恢复完整性和在屏蔽的单元、底座、设备、 AdB=32L/g dB (67)
机柜、房问和运载器中的实际应用。 有许多技术可用来减少屏蔽试样的电磁发射泄漏或接
收穿透。若构件是由螺钉或铆钉接合的,则方程 (66)表明,
2。5.1屏蔽结构的完整性
若在每单位界面直线尺寸上使用较多的螺钉或铆钉,可大
从数学建模的观点来看,可使用两种方法之一 :(1)编
大增加A 这归凶于螺钉或铆钉之间潜在间隙g的减小。
辑一个有关设备材料与结构的屏蔽效能 (衰减对频率 )数
图2.13表示对于所指出的参数,接头的屏蔽效能是螺钉间
据库 ,然后选用最接近于受试样品的数据 ;或者 (2)根据
距的函数。同时要注意若应用典型的电磁干扰网状衬垫会
上面列出的一张数据清单汁算屏蔽效能,然后使用最坏的
获得很大改善。
情况。由于从来没有积累和报道过第一种方法中所建议的
用来减小物理非均质构件泄漏的其它技术,包含企图
那种有关设备的重要屏蔽数据库,故通常使用第二种方法。
消除或降低非均质性。图2.14表示这种方法中的一些。在
1)接缝和接头
构件不必拆卸或分离的场合,最好是沿配合表面四周进行
配合构件在界面上的 (射频)屏蔽完整性损失,是屏
连续缝焊。这种焊接要求不高,只要它是连续的,无焊接
蔽效能受损的主要原因。这时界面的电阻率和 /或磁导率
取决于所使用界面的连接形式,可能比理论值要低得多。 2 .3 .S .7 1 2 3 4 5 7 10 20 30 ∞
产生的材料界面可分成物理非均质和物理均质两种。当屏
蔽构件是 由螺钉 、铆钉 、点焊等直接连接时,就得到物理 置
非均质的界面接合。这时界面连接是不连续的,而且在连 翟
接的构件
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