TCVI工艺制备C／C复合材料的多物理场耦合模拟.pdf

中国科学 E辑 ：技术科学 2009年 第39卷 第 11期 ：1804～1809 《中国科学杂志社 WWW．scichina．com tech．scichina．com SClFJ~ EINCHINAPRESS TCVI工艺制备C／C复合材料的多物理场耦合模拟 焦妍琼，李贺军 ，李克智 西北工业大学碳 ／碳复合材料工程技术研究中心，超高温结构复合材料国防重点实验室，西安 710072 E-mail：lihejun@nwpu．edu．cn 收稿 日期：2008．08—21；接受 日期：2008—12．11 国家 自然科学基金(批准号资助项 目 摘要 采用2D轴对称瞬态模型对热梯度化学气相渗积(TCVI)2~艺制备高性能C／C复合材 关键词 料过程进行模拟．模型包括对流、热传导、扩散、沉积反应和孔隙演变等物理化学过程．采 C，C复合材料 用有限元方法实现了多物理场迭代耦合计算，得到了各时刻流场、温度场和密度分布规律， 热梯度化学气 研究表明对流对温度场分布具有重要影响．对于采用 TCVI工艺致密化 100h的C／C复合材 相渗积 料，对 比实验测得的预制体平均密度径向分布，计算结果与实验结果符合一致规律，验证了 多物理场耦合 模拟 模型的可靠性和模拟计算的预测能力． C／C复合材料具有低密度、高比强度、高比模量、 工艺进行了模拟，提出了一维线性分布传热模型，对 高温下 良好 的力学性能保持度、优异的抗烧蚀性能、 工艺沉积时问进行了预测．日本的 TeruokiT等人 2【 摩擦性能和抗热震性能等优点，在航空航天和 民用 建立了非连续圆柱单胞预制体孔 隙模型，依据孔 隙 领域受到了广泛关注．热梯度化学气相渗积 (TCVI) 模型和连续稳态传质传热方程，实现了TCVI工艺制 工艺是制备高性能 C／C复合材料的最常用方法之一， 备 SiC ／A12O3复合材料过程的模拟．姜开宇等人3【建 是对传统等温化学气相渗积(ICVI)T艺的改进工艺， 立 了 TCVI工艺动力学模型和二维轴对称几何模型， 其原理是：位于预制体中心的发热体加热升温，内侧 采用有限差分法对TCVI工艺制备C／C复合材料过程 为高温区而外侧为低温区，使沿预制体径 向产生温 进行了模拟．李克智 4【】、赵建国等人l5J根据实验分析 度梯度，利于前驱体气体在预制体内部的扩散，靠近 了温度梯度对TCVI工艺制备C／C复合材料过程的影 发热体的预制体沉积速率更高，从而提高制件 的密 响，并建立了 2D 轴对称几何模型和导热微分方程， 度均匀性，大大缩短制备周期，消除表面结壳现象． 对梯度温度场进行 了模拟．孙 国岭等人 o【建立 了 由于计算机模拟技术有助于理解工艺机理、优化工艺 TCVI过程非稳态温度场有限元模型，对温度场变化 参数、提高工艺效率、降低材料制备成本，因此计算 规律以及致密化效率与沉积温度的关系进行了研究． 机模拟已成为分析和研究TCVI工艺过程的重要方法 然而，实际TCVI工艺中存在复杂的物理化学过 之一． 程，现有模拟工作往往在简化实际工艺基础上进行． 目前，国内外专家学者 已经对TCVI工艺在计算 对次要因素的简化是必要的，可以降低计算难度，但 机模拟 方面 开展 了一定 的研 究工 作 ．美 国 的 对一些重要因素的忽略使模拟工作与实际工艺产生 VaidyaramanS等人I¨对C／C复合材料强制流动TCVI 了差距，降低了模拟工作的可靠性．分析模拟研究现 引用格式： 焦妍琼，李贺军，李克智．TCVI工艺制各C／C复合材料的多物理场耩合模拟．中国科学B辑：技术科学，2009，39(11)：l8o4—1809 JiaoYQ,LiHJ,LiKZ．Multi-physicalfieldcouplingsimulationof[EVI