耐高温耐辐射的碳化硅半导体探测器.pdfVIP

第 3O卷 第 7期 核电子学与探测技术 Vol-3O No．7 2010年 7月 NuclearElectronics＆DetectionTechnology July． 2010 耐高温耐辐射的碳化硅半导体探测器 靳 根，陈法国，杨亚鹏，徐 园，王希涛 (中国辐射防护研究院，太原 030006) 摘要：在核反应堆堆芯、高能物理实验及外太空等高温高压以及强辐射环境中进行辐射监测时，探 测器的耐高温和耐辐照性能备受关注。随着材料技术的发展，关于二元半导体碳化硅 (SiC)和氮化镓 (GaN)作为辐射探测器的研究已经取得良好进展。尤其是 SiC晶体 ，因其禁带宽度大、晶体原子离位能 大以及电子空穴迁移率高等特点，最有希望在将来代替Si作为耐高温耐辐照半导体探测器的材料。 关键词：碳化硅；半导体探测器；耐高温；耐辐照 中图分类号 ：TL814．3 文献标识码： A 文章编号： 0258-0934(2010)07-0909-04 从上世纪六十年代开始，半导体作为辐射 4H—SiC最常用于电子设备[1]。目前利用分子 探测器在 a、8、7以及中子的测量方面得到了越 束外延法 (MBE)、液相外延法 (IE)、化学气 来越多的应用。与气体探测器和闪烁体探测器 相沉积(CVD)等方法，已经可以制备性能良好 相比，半导体探测器具有探测效率高、能量分辨 的SiC晶体材料。但是要使 SiC晶体达到探测 率好的优点，但是，由于只能在常温或低温下保 器等级，制备工艺难度大，并且厚度有限(一般 存和工作，辐射损伤也会使探测性能逐渐变坏， 在 50 m左右)，这些都相对限制了它的发展。 而无法应用于高温、强辐射场等极端环境。上 表 1列出了SiC晶体主要特性[。 世纪九十年代，人们开始注意到SiC晶体，研究 根据半导体理论，有： 将其用于高温强辐射极端环境下的辐射测量。 ·p— C．Cpe--ga／kT (1) 随着SiC材料的商品化以及 SiC器件工艺的 日 其中 、分别为电子和空穴浓度，Cn、C 渐成熟，如SiC材料的氧化、掺杂、刻蚀 以及金 是常数， 为禁带宽度，k为波尔兹曼常数，丁 属一半导体 肖特基接触等，都为SiC器件的研制 为温度。而半导体电阻率和载流子浓度存在如 和应用奠定了基础 。 下关系： lD一 而1 (2) 1 碳化硅材料 其中 、 分别为电子、空穴迁移率。由 碳化硅(SIC)是 由硅原子与碳原子通过共 等式(1)(2)可知，在温度相同的情况下，EG越 价键结合形成的陶瓷状化合物。天然存在的 大，由热运动造成的载流子浓度越小，半导体电 SiC称作莫桑石；人工首先在 1893年合成。碳 阻率越高。如表 1所示，SiC的禁带宽度比硅 化有多种晶体结构，已知的有 100多种，目前主 的要大，由其构成的探测器就可以在高温中工 要研究和发展的有三类 ：4H、6H、3C，尤其是 作，并且具有暗电流小，信噪比好的优点。目