基板弯曲对P（VDF—TrFE）铁电薄膜电学性能的影响.pdfVIP

第 l7卷第6期 功能材料与器件学报 V01．17．No．6 2011年 l2月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIAI5ANDDEVICES Dec．，2011 文章编号：1007—4252(2011)o6—0591—05 基板弯曲对 P(VDF—TrFE)铁 电薄膜电学性能的影响 顾寅 ，朱国栋 ，蒋玉龙 ，曾鞲’ (1．复旦大学材料科学系； 2．复旦大学微 电子学院专用集成 电路与系统国家重点实验室，上海200433) 摘要：近年来基于铁 电聚合物的柔性存储器件的研制受到了越来越多的关注。铁 电聚合物柔性应 用的关键因素之一，在于基板弯对其电学性产生多大程度的影响，但迄今这方面的研究较少。本文 研究了柔性基板弯曲对铁 电聚合物薄膜 电学性能的影响，通过对铁 电电容结构的表征，确定了基板 弯曲对铁电膜矫顽场、剩余极化、电学保持能力、电学疲劳特性和漏电流特性的影响。研究表明，在 本文实验条件下基板不会对铁 电聚合物的电学性能产生影响。 关键词：铁 电薄膜；P(VDF—TrFE)；柔性器件；容变存储 中图分类号： 文献标识码 ：A Bendingeffectontheelectricalproperties offerroelectricP(VDF—TrFE)thinfilms GUYin ，ZHU Guo—dong ，JIANG Yu—long2，ZENGWei (1．DepartmentofMaterialsScience，FudanUniversity； 2．StateKeyLaboratoryofASIC System，SchoolofMicroeleetronics， FudanUniversity，Shanghai200433，China) Abstract：Inrecentyears flexibleferroelectricmemorieshaveattractedmorenadmoreattentiondueto theirpotentialinflexibledevices．However，lessattentionhasbeenpaidonthepossibleinfluenceofthe substratebendingOiltheelectricalpropertiesin ferroelectricpolymerthin films．Herewereportedour studyofthebendingeffectonelectricalpropertiesinferroelectricP(VDF—TrFE)filmsnaddetermined thechangesin the coercivefield，remanentpolarization，electricalretention，polarization fatiguena d leakagepropertywiththesubstratebending．Theexperimentalresultsshowedthathtebendingwouldin— duceneglectableinfluenceon electricalpropertiesinferroelectricpolymerfilms． Keywords：ferroelectricfilm；P(VDF—TrFE)；flexibledevice；capacitivememory 0 引言 机晶体管和有机显示技术正 日趋成熟并 已投放市 场 引，然而柔性非易失性存储技术尚未突破，仍是 近年来信息技术的飞速发展对电子器件提出了