溅射功率和靶基距对ZAO薄膜性能影响.pdfVIP

第 17卷第6期 功能材料与器件学报 Vo1．17．No．6 2011年 12月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Dec．．2011 文章编号：1007—4252(2011)06—0586—05 溅射功率和靶基距对 ZAO薄膜性能影响 陆峰 ，徐成海 (1．沈阳建筑大学，交通与机械工程学院，辽宁，沈阳110168； 2．东北大学机械工程与 自动化学院，辽宁沈阳110004) 摘要：采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZnO：A1(ZAO)薄膜，研究溅射功率、靶基距关键制备 工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数， 利用该参数制备ZAO薄膜，能够获得在可见光范围内的平均透射率》80％，最低电阻率为4．5x10 n ·cm 的ZAO薄膜 ，其光电性能均满足应用需求。 关键词：ZAO薄膜 ；直流反应溅射；溅射功率；靶基距 中图分类号 ：TG113．0484；TN304．21；TB43 文献标识码 ：A Sputteringpowerand Target——SubstrateDistance dependenceonthepropertiesofZAO thinfilms LU Feng ，XU Cheng．hai (1．SchoolofTransportationandMechanicalEngineering，ShenyangJianzhuUniversity， Shenyang，110168，China； 2．SchoolofMechanicalEngineeringAutomation，NortheasternUniversity，Shenyang110004，China) Abstract：ZnO：A1(ZAO)thinfilmwaspreparedbyDCreactivemagnetronsputtering．Sputteringpower andTarget—SubstrateDistance(TSD)isthekeyprocessparameters．Inthispaper，theinfluencesof sputteringpowerandTSDonresistivity ，transparencyandmierostructurewereinvestigated．Theoptimal preparedparametersaboutsputteringpower，TSDwasobtained．ThehighperformanceZAO fihnwithre— sistivityof4．5x10 Q ·cm andaverageopticaltransmittanceover80％ within visiblelight ．wasSUC— cessfullyachievedusingtheoptimalparameters．Theopticalandelectricpropertiesaretomeettheappli— cationrequirements． Keywords：ZAO Films；DC reactivesputtering；sputteringpower；Target—SubstrateDistance 0 引言 透明导电薄膜 ，其具有性能稳定、制备简单、成本低 廉等优点，是ITO薄膜替代产品中最具发展前景的， ZnO：A1(ZAO)薄膜是近年来发展最快的一种 收稿 日期 ：2011—04—19； 修订 日期 ：201