薄膜生长速率对有机光伏器件性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第29卷 第3期 发 光 学 报 V0L29 No．3 2008年6月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Jun．，2008 文章编号：1000-7032(2008)03-0433-04 薄膜生长速率对有机光伏器件性能的影响 黄启雄，袁永波，连加荣，周 翔 (中山大学 光电材料与技术国家重点实验室；显示材料与技术广东省重点实验室，广东 广州 510275) 摘要：采用真空热蒸发镀膜的方法制备了酞菁铜(cuPc)和富勒烯(c∞)构成的平面异质结结构光伏器件，并 初步研究了CuPe薄膜生长速率对器件光伏性能的影响，我们发现以较大薄膜生长速率制备的器件表现出较 大的短路电流和能量转换效率。x射线衍射和原子力显微镜观察的结果表明生长速率较大的CuPc薄膜结晶 相含量较少 ，薄膜结构较均匀、致密、平整 ，这可能使得CuPe薄膜激子扩散和载流子迁移特性得到提高，也可 能改善其与c 受主薄膜和ITO阳极的接触，并有利于载流子的分离和收集，从而表现出较好的光伏特性。 关 键 词：有机光伏器件；薄膜；生长速率 中图分类号：0621．22；0631．23 PACC：8630J 文献标识码：A 相含量较少 ，薄膜结构较为均匀、致密、平整，这可 1 引 言 能使得CuPc薄膜激子扩散和载流子迁移特性得 利用有机小分子和聚合物材料制备的有机光 到提高，也可能改善其与c∞受主薄膜和 ITO阳极 伏器件具有制备工艺简单廉价、可大面积沉积在 的接触 ，并有利于载流子的分离和收集，从而表现 柔性衬底上等潜在优势和广阔的应用前景，正越 出较好的光伏特性。 来越引起人们的广泛关注 J。1986年，柯达公 2 实 验 司的C．W．Tang利用有机小分子材料酞菁铜 (CuPc)作为给体材料和芘类化合物 (PTCBI)作 实验 中，我们采用透 明导电铟锡氧化物 为受体材料，采用真空热蒸发镀膜的方法制备了 (ITO)玻璃 (深圳南玻集 团股份公司)作为衬底 ， 能量转换效率约为 1％的双层异质结结构有机光 ITO膜厚度约为40am，方块电阻约为50 口， 伏器件 J。目前 ，利用 CuPc和具有较长激子扩 可见光区域透过率大于80％。ITO玻璃依次用丙 散长度的受体材料富勒烯(c∞)制备高效率小分 酮、乙醇、去离子水超声清洗 10．min，最后用氮气 子有机光伏器件是该领域的研究热点l2J，CuPc 吹干并放人真空干燥箱中150oC烘干1h，随后利 和C∞构成的平面异质结结构器件和体异质结 用臭氧(Ozone，臭氧浓度：2mg／L)对 ITO表面进 结构器件的能量转换效率 已分别达到3．6％和 行处理5～8min。采用真空热蒸发镀膜的方法制 5％ l3 ，这些结果鼓舞人心，并显示出有机光伏 备了结构为 ITO／CuPc／C60／TPBI／A1的双层异质 器件巨大的潜力。 结结构小分子有机光伏器件 (器件结构如图1所 本文主要研究了CuPc薄膜生长速率对 CuPc 示)，其中电子给体材料 CuPc(Aliaaesar，98％)、 和c∞构成的平面异质结结构光伏器件性能的影 电子受体材料c∞(河南天安，99％)、激子阻挡层 响，我们发现以较大薄膜生长速率制备的器件表 材料TPBI(Aliaaesar，98％)均未经提纯 (材料分 现出较大的短路电流和能量转换效率。虽然生长 子结构如图1所示)。真空系统(中科科仪)本底 速率对 cuPc薄膜的光学吸收特性没有明显的影 压强约为 1．0