秧苗状Zn_2SnO_4纳米线的制备及光致发光性能研究.pdfVIP

第 23卷 第 3期 光 散 射 学 报 Vo1．23 NO．3 2011年 9月 THEJOURNALOFLIGHTSCATTERING Sep．20i1 文章编号 ：1004—5929(2011)03—0234—04 秧苗状 ZnSnO 纳米线的制备及光致发光性能研究 刘中奎 (临沂大学分析测试实验 中心，临沂 276000) 摘 要 ：本文通过化学气相沉积方法成功制备了秧苗状 Zn。SnO 纳米线，x射线衍射表明，样 品为面心立 方结构的 ZnzSnO ，同时含有少量 的 ZnO物相 ，并且可 以通过延长沉积 时间的方法获得较为纯净 的 Zn：SnO材料。SEM结果显示样品形貌为秧苗状的纳米线。通过样品的光致发光谱的研究发现，ZnzSnO 的紫外发光强度随着 ZnO杂相 的减少逐渐增强。 关键词 ：Zn2SnO ；光致发光 ；拉曼光谱 ；CVD 中图分类号：0611．3 文献标识码 ：A SynthesisandPhotoluminescenceofSeedling-Like Zn2SnO4Nanowires LIU Zhong—kui (ExperimentalCenter，LinyiUniversity，Linyi276000，China) Abstract：Seedling—likeZn2SnO4nanowiresaresynthesizedby chemicalvapordeposition method．Thestructureandmorphologyoftheas—grown productsarecharacterizedbyX— raydiffraction (XRD)，Ramanspectroscopy，andscanningelectronmicroscopy (SEM )． Resultsshow thatallthesamplesareface—centeredcube(fcc)phase．A smallquantityof ZnO isalsofoundinthesample．ThepurityofZn2SnO4canbeincreasedbyprolongingthe depositiontime．Room temperaturephotoluminescence (PL)spectrum showsthatlumi— nescentintensityoftheultravioletregion(320——‘450nm)increasesastheamountofimpuri—— tiesdecreases． Keywords：Zn2SnO4；photoluminescence；Raman；CVD 化降解等领域[1]。同时 ZnSnO 作为一种重 1 引言 要的透明导 电氧化物材料 (TCO)，具有价格低 锡酸锌是一种具有尖晶石结构 的复合氧化 廉、无毒环境友好等 自身独特优点而成为未来 物，具有一些单一的氧化物不具备的特殊性质， TCO材料 的最理想选择 [5]。特别是从 发现 如 电导率和电子迁移率 比较高、可见吸收 比较 Zn：Sn0 薄膜可以作为 CdS／CdTe太 阳能电池 低、化学稳定性较高等性质，可广泛应用于光电 的缓冲层后 ，能有效提高电池在整个可见区域的 子器件、薄膜晶体管、燃料 电池或锂 电池的透明 量子产率 (其填充因子高达 74．82 )，同时还能 导 电电极、气体感应及气体探测、光声学和光催 提高制备高性能电池的重复性 ]，因此 Znz