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Nanjing SilverMicro Electronics,LTD
无底板IGBT 模块在小功率变频器上的应用
Application of IGBT Module without Base Plate in Small-Power Inverter
南京银茂微电子制造有限公司姚二现庄伟东
摘要:变频器IGBT 模块的结温是影响其可靠运行的重要参数,本文对无底板IGBT 模
块风冷变频器进行了系统级热分析,探讨了模块芯片布局、散热器结构参数和模块安放方式
对其结温的影响。计算结果表明,增大IGBT 模块芯片间距、改变散热片形状并增加散热片
数量,将模块纵向放置并将模块的逆变部分放置在散热器进风口侧均可以有效降低IGBT 模
块的结温,提高IGBT 模块和变频器的可靠性。
关键词:变频器风冷散热IGBT 模块可靠性
引言
为了提高动力设备的电力利用效率,变频器得到了越来越广泛的应用,变频器依靠其内
部IGBT的开通与关断来调整输出电流的电压与频率,因此其使用的IGBT 模块的可靠性对
变频器的稳定运行有着重要影响。温度是影响半导体器件可靠工作的重要工作参数,在正常
工作温度范围内,半导体器件的结温每上升10K,器件失效概率以近2 倍的速率上升,
无底板IGBT 模块近来在小功率变频器上获得了广泛的应用。由于陶瓷覆铜基板直接与
散热器表面接触,功率模块的尺寸紧凑,功率芯片发热集中,因此,如何有效降低芯片的工
作结温,对提高小功率变频器的使用寿命和可靠性十分重要。
数值计算技术的发展,使得很多工程技术问题可以被计算机很好地解决,数值计算技术
的优点在于可以直观、高效地验证设计是否符合要求,寻找设计参数与目标参数之间的关系。
本文利用商业数值计算软件,对IGBT 模块变频器风冷进行了系统级热分析,寻找改进IGBT
模块变频器风冷设计的改进方法。
本文的计算平台为 1.5kW 风冷变频器,在计算中,保持散热器的尺寸不变,通过比较
了两种1200V-15A 模块和不同安放方式对散热效果的影响,得到IGBT 模块在散热器上的最
优安放方式,并比较了正常工况下芯片结温的差异。
计算模型
1 散热器
本文计算采用的散热器是1.5kW 变频器所采用的翅片风冷散热器,材质为铝,长112mm,
宽97mm,散热片高50mm,根部厚2.75mm,尖部厚2mm ,散热片间距9.18mm,共计10
个散热片。
2IGBT 模块
本文计算了两种不同封装尺寸的 IGBT 模块,分别为 48mm*34mm (EasyPIM1 )、
67mm*39mm (A1 ),其中EasyPIM1 是通用型IGBT 模块,A1 模块为改进设计的模块,两
种模块均为无铜底板模块,模块电路结构均为7 单元电路,包含了二极管整流桥、制动和三
相逆变全桥电路,IGBT 模块被安放在散热器的中部。模块DBC (直接敷铜基板)直接安放
在翅片散热器上,DBC 下铜层与散热器之间涂抹了导热硅脂,以填充两者之间的气隙,减
小接触热阻。DBC 板由三层材料组成,中间是氧化铝绝缘陶瓷,上下两层是覆铜层,其中
一侧的覆铜层被制造出一定的图形,以实现模块芯片之间的电路互联。
3 边界条件与材料
本文中模块的模拟工作条件为 1200V,工作电流5A,工作频率为16kHz,由于芯片的
Report
Nanjing SilverMicro Electronics,LTD
发热层很薄,均匀发热,因此将芯片表面设为第二类边界条件,其总热流量等于芯片损耗,
由模块数据手册查得模块所用IGBT 芯片的5A 时的通态压降为1.2V,开通损耗为0.6mJ,
关断损耗为 0.5mJ,搭配的续流二极管电流为5A 时的通态压降为 1.25V,开关恢复损耗为
0.48mJ,假定工作时,IGBT 的占空比为0.8,FWD 的占空比为0.2,整流桥芯片的通态电压
为 0.8V ,功率因数为 0.8 。根据芯片损耗公式P V I D (E E ) f ,
igbt CEsat C g on off
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