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制备Ga2O3纳米带的初步探索 Synthesis of Ga2O3 nanobelts 物理学院99级 贺言 王鹏 摘要 纳米结构半导体具有重要的理论研究价值和潜在的应用前景。本文试图寻找合成氧化镓纳米带的新方法，即：在常压(1atm)、一定温度(850oC)下，直接将Ga蒸发、氧化而制备，初步尝试的结果表明利用该方法可以获得Ga2O3纳米带。文中通过SEM分析了合成产物的微观形貌，并利用X射线衍射仪分析了其晶体结构，另外对纳米带的生长机制进行了定性探讨。 Abstract Nanostructured semiconductor is important for both theoretical research and future application. This paper endeavored to find a new method to fabricate Ga2O3 nanobelts. In this method, the gallium was directly evaporated and oxidized in 1atm pressure and at high temperature (850oC). The results revealed that the product contained Ga2O3 nanobelts. The morphology and crystal structure of the final product were analyzed by filed emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and X-ray diffraction (XRD). The growth mechanism of the nanobelt was also discussed. 1引言 近年来，纳米材料因为其独特的物理和化学性质而备受到人们的重视，这种性质主要起因于纳米材料微小的尺度，它们不能用传统的固体理论得到解释，因而具有一定的理论价值，同时也有着广泛的应用前景。最早的纳米材料是由日本科学家饭岛于1991年发现的碳纳米管[1]，引起了人们的巨大兴趣。人们对碳纳米管的原子结构和输运性质作了大量研究。 此后，人们相继又发现了许多不同形态的纳米材料，如纳米颗粒，纳米线，纳米带等等。纳米颗粒有巨大的比表面积，可用作探测器。一维的纳米材料,如纳米线，纳米带等，其形貌类似于电线，众所周知现代集成电路技术依赖于微米蚀刻技术，而以纳米线为基础的集成电路可使电路尺寸降低二到三个数量级，运算速度提高二到三个数量级，故其在电子学方面可能的应用受到人们的广泛关注。有人研究沉积在金属表面的纳米线，并且寻求具有良好导电性能的金属及硅化物纳米线。 另外人们不但制备了金属及碳化物，氮化物的一维纳米结构，也得到了半导体二元氧化物纳米线。半导体二元氧化物具有丰富的电导性质和光学性质，有着广泛的用途。比如，氟掺杂的SnO2的纳米膜具有低红外发射的特点，广泛用于建筑玻璃。SnO2纳米晶由于其对低浓度的气体的敏感性而成为最重要的可燃性气体防漏检测物质，Sn掺杂的In2O3具有良好的导电性能及透光性。ZnO是ITO的理想替代物，而且具有价格低易蚀刻等特点[2]。 本工作讨论的Ga2O3是一种宽禁带半导体，Ga2O3遇到还原性的气体如甲烷等，会吸附并与之反应，使禁带宽度减小，结果是半导体的电阻显著减小，可以用做气体探测器。另外Ga2O3有较强的荧光发光性质。荧光发光的机制主要是半导体中的施主电子和受主空穴的复合导致。受主由镓和氧的真空基态对形成。根据Binet和Gourier的建议[3]，受主的激发产生施主电子和受主空穴。复合后发射出频率较高的蓝光。 在此之前，人们用许多种不同的方法将Ga2O3制备成为纳米线[4]。如，Zhang等在100Torr气压下，以90%的Ar气和10%的H2气作为载流气，300oC下蒸发得到Ga2O3纳米线。Choi等在Ar,O2气氛及少量金属催化剂下，用直流电电极放电蒸发GaN得到Ga2O3纳米线。Wu等将镓粉末和石灰粉末的混合物，在氮气气流中980C下反应两小时制得Ga2O3纳米线。Gundiah等将Ga2O3粉末和多壁碳纳米管在1000C和Ar气气流下反应4小时得到Ga2O3纳米线。 这里我们将使用一种更加简单并且直接的方法，将金属直接蒸发氧化，得到纳米结构的氧化物。 2实验 制备氧化镓纳米带的实验装置示意图如图1，主要的设备是管式炉。一端接Ar气瓶（Ar99.99%;N250ppm O210ppm;H25ppm CH44