超声直探头性能及其声场表征的测试方法研究.pdfVIP

’, ’ . .,. ’, ’, , 。,加 啪 .. . . ... . . . . .: , ? , 超声直探头性能及其声场表征的测试方法研究 陈炎明’姚秋平’许颖’罗亚清’孙涛 湖北省计量测试技术研究院,武汉 国家无损检测设备质量监督检验中心,武汉 工业的发展需要了解超声探头的性能和声场表征;但配载超声变幅杆的超声壳探头在工作介质中的声场分布尚无 理论公式,而通过数值计算得到声场分布又必须得知探头内部参数,这对封装完整的超声直探头的性能评价和声 场表征而言是很难克服的困难。本文通过假定超声直探头的变幅杆末端端面为类似压电晶片的声源,将成熟的 压电晶体声场分布公式引入到配载超声变幅杆的超声直探头的声场表征来。通过理论计算和实验结果的对比,发 现在中轴线的声压分布和近场范围两项参数指标可用公式来表达,而对于半扩散角此项参数则不可运用公式来计 算。这对校准过程中超声直探头性能及声场表征有实际指导意义。 关键词:超声直探头,性能和声场表征,声压分布,半扩散角,近场范围 种。对于简单的压电晶片配载保护膜后直接作用于工 . 引言 作介质,由于发射出的超声波经历途径较少很快进入 传播介质,其声场相对简单【.】。无论压电晶片形 随着社会的进步和工业的发展,超声波在材料探伤、 状如何,在获得压电晶片的相关参数后可以通过理论 医疗卫生、工程监测、生化处理等领域的应用日益广 ,公式计算出其声场分布情况】。但是这种超声探头 泛,尤其是在无损检测领域的发展更是日新月异。为 数鼍不多,更多的超声探头出于保护、阻抗匹配或者 了保证检测结果的准确性和重复性地获取材料内相 聚能作用的考虑,其压电晶片前配有超声变幅杆。这 关的信息,对于超声波脉冲的发生、发射和接受必须 使得压电晶片产生的声场在超声变幅杆中传播后,某 作出适当规定、控制和表征。显然,也就需要了解超 些物理参数,如速度振幅的放大系数、输入力阻抗和 声探头的性能及其声场的表征,以及所采用的测试方 形状因数等,全部或者部分发生改变。通过超声变幅 法。出于对超声探头全面描述或校准适合检测工作的 杆的超声波由于其声场已有变化,在工作介质中声场 探头的要求,建立起一套超声探头的性能参数和声场 分布明显要复杂得多。 表征是十分有必要的『。 对于配有超声变幅杆的探头在工作介质中的声 对于超声探头的性能参数和声场表征方法有多 场可以从数值计算和实验测量两个方面考虑。由于超 .//.◎ . 声直探头的声场比聚焦探头、相阵探头的声场要简 声源在此点处产生的声压 单,用数值计算方法研究其声场分布相对较多。但数 值计算的前提条件是需知道超声探头的各项物理参 , ∥ 丘口 ,伽一半口∥”¨.百 数,否则计算无法进行【.】。对于已封装完整且未 式中为阶贝塞尔函数 知其内部具体参数的超声探头的性能评估和声场表 为圆盘状压电晶片半径 征,采用实验测量的方法则是行之有效的手段】。 缈为超声波在传播介质中的圆频率 本文是引入压电晶片声场分布的理论依据,将其 为点偏离中心轴线的角度 应用于超声探头的声场理论计算,即将超声探头与工 为传播介质中声波波数 作介质接触面视为压电晶片声源,在工作介质中的声 场运用理论公式解得;同时,在实验室环境下测得超 ,为点距离圆盘状压电晶片中心距离 声探头在消声水箱中的三维声压分布,从声压分布中 风为传播介质密度 提取中轴线声压分布、近场范围和半扩散角等性能指 ‰为介质中质点振动速度 标和声场表征量;再通过对比理论计算值和测量结 若假设点源处起始声压声压值为。,圆盘状压 果,来分析运用理论计算值来评估配载超声变幅杆的 电晶片的面积为,则式亦可写为 超声探头的性能和声场是否可行。 删:一譬.兰攀 . 超声直探头声场特性 式中名为传播介质中超声波波长 .圆盘状压电晶片声场 .压电晶片的声场特性参数 超声直探头的声场特性一般是指声场中的声压分布 及其指向性。在超声检测中,圆形压电晶片作为超声 根据式,在圆盘状压电晶片的中心轴线上对整个 波声源的情况最为常见且应用最为广泛,它利用逆压 圆盘面积积分,且声压随时间做周期性变化时仅 电效应在交变电压的激励下压电晶片的往复振动,继 考虑其振幅,可得到中轴线上声压分布为 而向周围介质辐射超声波。对于圆形压电晶片产生的 口,.一,/名】 纵波声场中的声压分布及其指向性可简单介绍如下。 其中风为压电晶片的起始声压值 名为传播介质中超声波波长 口为圆盘状压电晶片半径 ,为压电晶片中轴线上点到圆盘中心距离 当 一:’,... ’ ’ ,:垡』霉要尘 疗一 且 ∽‘抖?,? .. 刀姿抖;‘? 刀?了一 则声压有刀个极大值,这是由于在靠近声源 处,有声源表面上个点源辐射直轴线上一点的声 图.圆盘状压电晶体声场示意图. . . 波,由波程差引起的相互干涉造