粉料埋烧的TiO2瓷致密性和微观规整性研究.pdfVIP

维普资讯 第 2期 电 子 元 件 与 材 料 、，01．24NO．2 2005年2月 ELECTRONICCOMPONENTS＆MATERIALS Feb．2005 粉料埋烧的TiO2瓷致密性和微观规整性研究 孟凡明，孙兆奇 (安徽大学物理与材料科学学院，安徽 合肥 230039) 摘要：通过与裸烧工艺的对比实验，研究了粉料埋烧对TiO2陶瓷性能的影响。采用金相显微分析、密度测量、压 敏电压测量和介电测量等实验手段，分析了埋烧的作用机理。结果表明，采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶 瓷致密 (密度达4．1l2g·cm-3)、降低压敏电压 ( orIlA=5．4V ·nlnl-)，同时提高了介电常数(sra=7．61×l04)。该研究 结果为Ti0，基低压压敏电阻器的研制探索出一条新途径。 关键词：电子技术；TiO2压敏陶瓷；埋烧；压敏电压：密度；晶粒结构 中图分类号：TN304：TN379 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2o05)02—0011-02 InfluenceofBuryingSinteringProcessonCompactnessand MicrotacticityofTiO2VaristorCeramics MENGFan-ming，SUN Zhao-qi (SchoolofPhysicsandMaterialsScience，AnhuiUniversity，Hefei230039，China) Abstract：StudiedwastheinfluenceofburyingsinteringprocessonTiO2varistorceramicsbycomparingwithtraditional sinteringprocess．Basedonhteresultsofmetallographsanalysis，densitymeasurements，breakdownvoltagemeasurementsnad dielectricmeasurements，theworkingmechanism wasanalyzed．Itisfoundhtatburyingsinteringprocessisbeneficialtograin increment，andtheburyingsinteringsampleexhibitsabiggerdensityof4．112g ‘crn-~，alowerbrekadownvolatge(El0mA)of 5．4V ·mm- andahigherapparentdielectricconstantof7．61×10Theresultswillgiveanewwayforresearchonhtelow ． volatgeTiO2·basedvaristor． Keywords：electronictechnology；TiO2basedvaristorcerma ics；buryingsintering；brekadownvoltage；compactness； grainstructure TiO2基电容 一压敏双功能器件相当于一个电容器 度测算和金相显微分析，比较并分析了埋烧与裸烧工 与一个压敏电阻器并联。当电压低于压敏电压时，可 艺对 TiO2陶瓷密度和晶粒形貌的影响，在烧结工艺