多层冷压印光刻中超高精度对正的研究.pdfVIP

维普资讯 第 38卷 第 9期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vo1．38 №9 2004年 9月 JOURNALOFXIANJIAOTONGUNIVERSITY Sep．2004 多层冷压印光刻中超高精度对正的研究 王 莉，卢秉恒，崔东印，丁玉成，刘红忠 (西安交通大学机械工程学院，710049，西安) 摘要：为满足多层冷压印光刻中套刻的超高精度要求，提出了基于斜纹结构光栅的对正技术．利用光电接收 器件阵列组合接收光栅产生莫尔条纹的零级光，得到条纹平面内X、y方向的对正误差信号．通过调整光栅 副的间隙来提高误差信号的对比度．利用高对比度和灵敏度的误差信号作为控制系统的驱动信号，对承片台 进行宏微两级驱动控制，并由激光干涉仪作为控制系统的反馈环节在驱动过程 中进行全程监测，实现 自动对 正．最终使在 X、y方向上的重复对正精度达到了±20nm，满足了100nm特征尺寸压印光刻的对正精度要 求． 关键词：压印光刻；结构光栅；莫尔条纹 ；超高精度 ；对正 中图分类号：TH112；TH113．1 文献标识码：A 文章编号：0253—987X(20O4)09—0895—05 Ultra—PrecisionAlignmentforRoom-Temperature M ulti—LayerImprintLithography WangLi，LuBingheng，CuiDongyin，DingYucheng，LiuHongzhong (Sch∞lofMechanicalEngineering，XianJiaotongUniversity，Xian710049，China) Abstract：Anultra-precisionalignmenttechniqueadoptingapairofspecialslantgratingswaspresentedfor room—temperatureimprintlithography．TheOth—orderbeamsofmoir6signalsgeneratedby thegratings werereceivedbyaphotoelectricdetectorarray，andthenthemisalignmenterrorsinX—Y directionswere obtained，respectively．Thecontrastofmoir6signalswasimprovedviaadjustingthegratinggaps，thusthe improvedsignalswerechosentOcontrolthealignmentofaX-y stagebymeansofcoarse-finepositioning system．Thelaserinterferometerswereconsideredasthefeedbackelementsofthecontrolsystem tOmoni— tortheprocess．Finally，therepeatablealignmentaccuracy (4-20nm)ensurestOmeettherequirementof alignmentaccuracyforsub一100nm imprintlithography． Keywords：imprintlithography；grating；moir6signal；ultra-precision；alignment 在集成电路制造 中，随着对更小特征尺寸的不 压印光刻具有优势 ，但多层压印光刻的分步压印对 断追求，对光刻设备精度的要求也越来越高，但 由于 正问题仍是 RIL工艺的瓶颈．对于 100nm及以下 光学透镜极限的制约，使投影光刻很难实现 100nm 特征尺寸的 IC图形，套刻重复对正精度须在 30nm 以下特征尺寸的图形转移一．因此，寻求新 的工艺 以内一u]．由于在传统光刻工艺的对正方式 中，暗