纳秒脉冲激光熔覆温度场计算及薄膜飞溅机制分析.pdfVIP

第 32卷第 6期 应 用 激 光 Vo1．32，No．6 2012年 12月 APPLlED LAsER December2012 纳秒脉冲激光熔覆温度场计算及薄膜飞溅机制分析 张永彬 ， 宾韧 ， 郎定木 (表面物理与化学重点实验室，四川 绵阳 621707； 中国工程物理研究院，四川 绵阳 621900) 摘要 实验上采用磁控溅射在铀、不锈钢、铝基底上分别沉积钼、铌、铝等薄膜后采用纳秒激光熔覆，薄膜发生飞溅，未能形成熔 覆层。针对这一问题，采用有限元方法分析了脉冲激光作用的温度场，并对瞬时热膨胀造成薄膜垂直于表面的运动进行了分析。 计算以及分析结果表明：由于界面热阻，纳秒激光熔覆薄膜与基底存在较大的温度差，在本例计算铝薄膜与基底温差超过450℃。 瞬时热膨胀导致薄膜具有向外的速度以及动能。当薄膜动能大于拉伸断裂所需要克服的弹性以及塑性变形能量，薄膜将发生飞 溅。理论分析还表明存在一个临界的光束尺寸，当光束小于该尺寸，薄膜不会发生飞溅，熔覆能够发生，对于准分子激光，光束尺 寸达微米量级薄膜不会飞溅。 关键词 激光； 温度场； 熔覆； 机制 中图分类号：TG156．99 文献标识码：A doi：10．3788／A464 CalculatationforNano-SecondPulsedLaserCladdingTempratureFieldand AnalysisofThinFilm RemovalM echanism ZhangYongbin ， BinRen ， LangDingmu (ScienceandTechnologyonSurfacePhysicsandChemistryLaboratory, 0．Box718—35．Mianyang．Sichuan621907，China AcademyofEngeeringPhysics，Mianyang,Sichuan621900，China．) Abstract Thinfilmsofmolybdenum，niobium，aluminium werepreparedbymagetronsputtering，nano—secondlaserwasemployedto cladthesethinfilmsondiferentsubstrates，butthecladdinglayerswYernotformed．thinfilmswereremoved by1aser．In orderto explainthisquestion，temperaturefieldswerecalculatedusingfem method，kinematicofthinfilm causedbyinstantaneousthermo expansion wasanalysed basedon Newton dynamic．Resultsshow thereistempraturegap betweenthinfilm andsubstratedueto surfacethermoressistanee．inthisexample．thetemperaturedifierencesaremorethan450℃．Instantaneousthermoexpansionleads thinfilm abtained velocityand kineticenergy．Ifthekineticenergyisgreaterthan elaticand plasticenergyofthin film fracture limite，thinfilm wouldberemoved．TheoreticanalysisalsoshowsthereiSacritiea1beam size。lessthanthecriticalbeam size．the thinfilm wouldnotberemoved．foreximerpulsedlaser