IGBT器件的门极驱动模型及应用.pdfVIP

第46卷第 l2期 电力电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowerElectronics December2012 IGBT器件的门极驱动模型及应用 宁大龙 ，同向前 ，胡 勋 (西安理工大学，陕西 西安 710048) 摘要 ：针对 IGBT器件驱动 电路损耗计算及驱动 电源设计 ，分析了IGBT器件门极控制机理，建立了器件驱动电 路在开关过程的等效电路．推导了门极 电压和电流的解析式 ，给出了驱动功耗的计算方法。仿真和实验结果表 明，建立的开关模型能够精确描述 IGBT在开关过程中的电压电流变化，基于此模型的驱动电路功耗计算结果 可作为驱动 电源设计或选型的依据。 关键词：晶体管；门极驱动 电路 ；数学模型；门极驱动功耗 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2012)12—0106—03 M odelofIGBT GateDrivingCircuitand ItsApplication NING Da—long，TONG Xiang—qian，HU Xun (Xi’帆 UniversityofTechnology，Xi’an710408，China) Abstract：Aimingatthe lossescalculation andpowersourcedesigningofgate driving circuitforIGBT device，the mechanism ofthedevice’Sgatecontrollingtransientisanalyzed，andthevoltageandcurrentequationswhich cande- scribethegateoperation principle，are expressedbasedon theequivalentcircuitofthedevice’Sswitchingprocess． Finally，hteformula ofgatepowerlossescalculation isgiven．The simulation and experimental results show thatthe modelcan describeIGBT device’Sgate characteristicprecisely，and thepowerlossescalculation canbeused asa basisofdesigningorselectiontothegatedrivingpowersource． Keywords：transistor；gatedrivingcircuit；mathematicalmodel；gatedrivingpowerlosses FoundationProject：SupportedbyKeyScienceandTechnologyProgramofShannxiProvince(No．2010K09-09) 1 引 言 路 ，并推导了驱动 电流及损耗的表达式 ，为驱动 电源设计提供 了依据 。 随着 电力半导体器件的不断发展和用户对 电 力电子装置高功率密度、高电能质量的要求，全控 2 IGBT 门极控制机理 型电力电子器件成为当前装置应用的主流，其中 IGBT器件驱动 电路是装置主回路与控制部 IGBT器件以开关频率高、功率耐量大及驱动简单 分的接 口，驱动电路对控制输出信号的电平转换 等综合优势备受瞩 目。