SiC MOS器件关键技术研究.pdfVIP

第46卷第 l2期 电力 电子技术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowetElectronics Deeember2012 SiCMOS器件关键技术研究 朱巧智，黄玲琴 ，王德君 (大连理工大学，电子科学与技术学院，辽宁 大连 116024) 摘要：SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiCMOS器件 的关键技术。针对低 电阻高稳定的SiC欧姆 接触难于形成的问题，采用 电子回旋共振 (ECR)微波氢等离子体对SiC表面进行预处理 ，研究了低温退火条件 下 Ti／4H—SiC欧姆接触特性。I—V电学测试结果表明，经氢等离子体处理(HPT)后的样品无需退火即可形成欧 姆接触 ，利用圆形传输线模型测得 比接触电阻率为2．25x10。Q ·cm2，随着退火温度的升高 。其欧姆特性逐渐增 强，400℃退火后获得最小的比接触 电阻率2．07x10 n ·cm2。针对SiCMOS界面态密度过高的问题，采用ECR 微波氮氢混合等离子体对 SiCMOS界面进行退火处理 ，I—v和C．V电学测试结果显示，氮氢混合等离子体处理 可在不破坏氧化膜质量的前提下，使费米能级附近的界面态密度降至 1．14x1012cm ·ev～。 关键词：金属氧化层半导体界面；欧姆接触；电子回旋共振微波等离子体 中图分类号：TN386．1 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(201212—0069—03 StudyoftheKeyTechnologiesofSiC M OSDevices ZHUQiao-zhi，HUANGLing—qin，WANGDe-jun (DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China) Abstract：SiCOhmiccontacttechnologyandmetal—oxide-semiconductor(MOS) interfacepassivationtechnoloyg are twokey technologiesforSiC MOS devicesfabrication．To improve thepropertiesofSiC Ohmic contact，Ti／4H—SiC Ohmiccontactcharacteristicsareinvestigated，bymeansoflowtemperatureelectroncyclotronresonance (ECR) mi— crowavehydrogenplasmapre—treatment(HPT) oftheSiCsurface．I—VmeasurementsshowthattheasdepositedTi／4H— SiC contactsshow goodOhmicpropertiesaftertheHPr．The specific contactresistanceobtained isaslow as2．25× 1O一。Q ·cm2using circulartransferlengthmeasurements．Annealingata low temperatureimproveshteOhmicbehav- iors．and the specificcontactresistancereachesitslowestvalueof2．07x10一n ·em2．Toreducethe densityofinter— facetraps(Dit)atSiCMOSinterface，SiCMOSinterfaceisannealedbyECRmicrowavenitrogenh／ydrogenplasma．I—Vand C．V testsofSiCMOScapacitorsindicated thattheDhnearFermieneryg levelcouldbeeffectively