超高纯度氮、氢、氧的制备.pdf

超高纯度氮、氢、氧的制备 章炎生 (上海浦东德州路150弄74号602室．200126) 摘要例举j大规模集成电路生产中，需要高纯度氮、氢、氧的技术 要求。阐述了制备高纯度氮、氢、氧的方法、工艺流程，以及对设计高纯气 体装置的特殊要求。图1表9参3。 关键词：超高纯度气体技术要求制备方法设备要求 一、超高纯度氮、氢、氧的技术要求与纯化方法 随着大规模集成电路的发展，相应需要供应超高纯度的氮、氢、氧作为载气或反应气。例如 硅片集成度对氮纯度的要求。就有如下的关系(见袁1)。 衰1硅片集成度对氰纯度的要求 艇成度 lM 4M 16M 64M 258M 杂质古量(ppb) (100 19 1 0 02 l O01 CO 100 10 l 0 1 0．01 CO 100 10 1 o 2 1 0．01 H2 100 50 10 1 01 THC 100 10 1 0．1 O01 HzO 1000 100 10 1 0．1 颗粒度 o1“ 01Ⅱ 005“ 0．03Ⅱ 0 01p． 5pes lpcs lpcs 1Dcs 1ncs 相对应的设计线竟 1 2“ 08“ 0S“ 0 3“ 02u 3) 往tpcs=颗粒数／英尺3【fl 我国目前在建设中的909工程，将达到16M／64M的等级。在国外，已经相应提到1G (1000M)以上的集成度水平。通常这螋超纯气体的制备方法，首先都是工业化生产6N(99． 9999％)的高纯气体，再通过终端纯化的工艺进一步提高纯度。 常用的纯化方法为： 1．对于氯、氩、氛的进一步纯化：(1)催化+吸附；(2)吸气剂(Getter)。 2．对于氧的进一步纯化：催化+吸附。 3．对于氢的进一步纯化：(1)催化+吸附；(2)低温吸附；(3)钯膜扩散。 4．通过纯化后。可以得到的气体纯度(见表2、氧3、表4，表5) 表2纯化后氮的纯度 H CH· O H20 CO CO2 2 } 杂质 2 t=O】 5 1 I 含量(IPpb) 0，l 05 0 1 分析方法 APlMS APIMS APIMS APlMS RGA APIMS 101