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电嘴用半导体的配方和烧成工艺研究 赵 军 (天津航空机 电有 限公司，天津 300308) 摘 要 ：论述了半导体配方和烧成工艺对半导体电嘴电气性能的影响 ，系统介绍 了目前 国内外半导 体电嘴的发展情况，并通过大量的试验结果 ，系统地分析了影响半导体 电嘴 电气性能的各种因素，为合理 选择半导体原料和制定产品的烧成工艺提供 了理论依据 。 关键词 ：半导体陶瓷；半导体电嘴 ；配方；烧成工艺；电气性能 中图分类号：TB3；TQ 174 文献标志码 ：B 半导体陶瓷是半导体 电嘴的核心部件 ，它的密 经过对国外样机的半导体材料的化验分析，得 度、最小放电电压等指标决定 了电嘴的寿命和可靠 知国外半导体陶瓷的主要成份是 SiC和 AlzO。。经 性 。但由于半导体电嘴直接暴露于高温燃气中，经 过我公司多年来的努力研究和试验，初步确定了半 受严厉的工作条件，所 以欲获得性能全面的半导体 导体陶瓷的大致原料如表 1所示。 陶瓷非常困难。 表 1 半导体配方 1 国外半导体电嘴从二次世界大战后开始应用， 如前苏联生产的CII型半导体电嘴和美 国钱皮恩公 司生产的FHE型半导体电嘴，以及 日本 NGK公司 由表 1可见 ，半导体陶瓷的主要原料仍是 SiC 生产的 JS型半导体电嘴等。俄制产品与欧美产品 和A1O。。依据表 1成份烧成的半导体块，但性能 有很大区别 ，主要区别在 电嘴发火端所用半导体材 不太理想 。为提高产品的性能，对产品进行 了再次 料上。俄制电嘴的发火端大多是 以氧化铝陶瓷为基 研发工作。 体 ，在基体上施半导体釉烧制成 ，而欧美国家的电嘴 由于上述配方中，SiC是最重要的半导体材料， 的发火端多直接采用半导体块 ，半导体块的硬度高、 首先通过试验 ，分析 SiC对半导体陶瓷性能的影响。 强度好，用半导体块制造的电嘴比用以氧化铝陶瓷 调整 SiC的含量 ，工艺条件一定，具体试验和结果如 为基体制造 的电嘴的抗腐蚀性好、寿命长、可靠 表 2。 性高。 表 2 SiC含量对产品性能的影响 国内从 65年开始研制半导体电嘴，但 由于技术 SiC含量 ( ) 5 10 15 20 25 30 问题，一直没有大的发展。直到 7O～8O年代，英 国 放 电电压 ／v 2500 2400 2100 1750 1600 1550 密度 ／g ·cm 2．8 2．85 2．95 2，9 2．7／裂 2．8／裂 斯贝发动机和法国海豚直升机的引进 ，才使国产 电 注：每种配方烧制了1O个产品，上表中的数值均为平均值取整 。 点火系统的研制工作步上轨道。目前 ，国内研制 的 从表 2的试验结果来看 ，SiC含量对产品的最 半导体电嘴同样有 2种类型：1)以Cu。O为主的半 终性能有如下影响：SiC含量提高，半导体电嘴的放 导体釉型电嘴，其主要材料为半导体釉涂覆在氧化 电电压下降，但下降的幅度逐渐减少 ，到 25 以上 铝陶瓷的基体上，这种结构和俄制产品很相似；2) 时下降缓慢 ；同时 SiC含量提高 ，对产品的密度有一 以SiC为主的半导体块型电嘴，属于欧美制产品的