单粒子翻转对医疗电子设备中FPGA器件可靠性的影响.pdfVIP

设计诀窍 lTEcHNIcALKN。wH。w 单粒子翻转对医疗电子设备中 FPGA器件可靠性的影响 医疗设备不仅会受到 自然环境存在的宇宙射线攻击，而且还经常要在医院的辐射环境中工作 ，因此 医疗 电子设备设计人员在器件选型时必须要考虑器件的单粒子翻转影响。 一 MinaISawant 产品行销经理 Microsemi公司 CMOS存储结构(如静态RAM单 会较大。由于这些粒子的源头都存 小，造成 电容减小 ，进而减小 了能 元和触发器1在受到高能粒子轰击时 器件 内部 ，大【l此再多外部屏蔽措施 够降低发生翻转所需的临界电荷。3． 容易发生翻转(1~lJ状态改变)。这些高 也无法阻挡它们。 存储单元面积缩小，截面面积减小， 能粒子可能是阿尔法粒子 、中子 、 当这些带 电粒子轰击到IC的硅 冈此也减少了粒子轰击的机会。 质子或各种重离子 ，它们是 由宁南 片上 ，硅片将 留下一道电离痕 ：类 这些情况造成的后果是存储器 射线与大气外层中的粒子碰撞，或 似地 ，当一个高能粒子(如 中子)撞到 组件VJ,SEU敏感性增加。原本仅在太 宇宙射线释放 的粒子与宇宙射线二 硅片上 ，将与硅片内的原子碰撞 ， 夺应用 中才需要关注的问题 ，如今 次碰撞而产生的。粒子还可能来 自 释放一群带 电粒子 ，这也会 留下一 甚至成为地面上的高可靠性设备(如 封装和硅基片本身，集成电路的封 道电离痕，电离作刚会产生足 以使 医疗设备)设计人员的心病。 装材料含有微量 的铀和钍 ，这两种 栅极过压而改变存储单元状态f位翻 元素都会产生高能阿尔法粒子。此 转)的电荷。这种存储单元的状态变 FPGA与SELl敏感性 外 ，在多晶硅掺杂 、基片掺杂或硼 化即单粒子翻转(SEu)(见图1)。存储 所有FPGAf~有一些共 同特点： 磷硅玻璃 (BPSG)中要大量使用硼元 单元 的这种翻转状态是暂时性 的， 1个逻辑阵列(~]]FPGA基础架构)、1 素 ，当这些常见的硼 同位素(10B)之 存储器 下次写入或重置(如重新 组嵌人式存储器 ，可能还有一些其 一 被某一低能量 (热能)巾子击 中(即 电)时，翻转就会被清除， 目前还末 它特殊构件(如乘法器或DSP)、时钟 所谓 中子捕获1，就会产生一个锂离 见SEU导致 电路永久性损坏的情况。 管理电路(~HPLL)以及周边 的可编程 子和一个阿尔法粒子。如果基片 中 随着]_I艺尺寸的缩小，还会 出 1／0接 口电路 。不 同FPGA的关键差 硼元素和宇宙射线中的低能量中子 现以下情况：1．供电电压减小，发生 异之一是逻辑阵列，不同供应商的 达到一定浓度 ，这种辐射效应可能 SEU所需的阈值降低。2．栅极面积缩 FPGA产品逻辑模块所采用的具体结 构和模块互连方式都有所不同，而 氧化绝缘层 入射带电粒子 这种互连方式正是对SEu关注的重点 所在。 FPGA有两种走线方式，即金 属连接和通孔连接 。其 中通孔是可 编程的，是构成整个可编程逻辑技 术 的基础 ，这些可编程 的通孔也用 于各逻辑模块和整个器件 的配置设 耗尽 区 定。FPGA行业采用i种类型的通孔 图1：带电粒子容易造