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维普资讯 现代材料动态 2007年 第3期 ISMI谈关于450mmSi片问题 ISMI(国际半导体制造技术联盟)在2006年深入研究了半导体工业向 “450ra一m 过渡 的问题。在过渡到300ram 晶片以后，工具和材料供应商对下一代晶片尺寸的 “过渡’’。不敏 感，尤其是没有适当的研发投资。 ISMI已开始系统地分析和评价过渡到450ram 的最佳途径 2006年第一季度，ISMI成 立了4个研究组：工厂布局、工厂模拟、原材料问题和经济分析。在 2006年 10月份 ISMI 关于制造有效性的会议上介绍了他们的进展。 向450ram过渡面临的主要问题是：财务分析、何时投入量产和工艺技术可行性。ISMI 认为：要弄清经济上对业界的影响：世界要达到共识并认真总结300m一m过渡中的经验教训。 2006年则主要研究450ra—m过渡的生产和经济问题：300mm．过渡中的主要经验是工业界的协 调一致非常关键，这包括设备和材料制造方面的早期合作，过渡所需的多种贸易模式。ISMI 必须评价贸易和经济模式，继续评价和调整工艺技术对进度和市场以及工业发展态势的影 响。 ：．， 。 每 10～11年过渡到更大的直径：。1990年前后 200ram．，2001年到 300ram．，20l2年将开 始使用450ram晶片。与450ram．相关的原材料问题主要是：Si供应链、材料处理、’(i贝4试) 表征设备和晶片标准。直拉单晶炉问题最大，也是成本中的 “大头”。与300ram单晶比、拉 速更慢、拉相同长度单晶耗时更长，生产效率更低而装料量要多得多。当然，炉子也大得多。 晶片厚度也要增大 (比如说 825ban)以保持其在加工和处理过程中的完整性。450mm 的较 大的直径／厚度比增加其在热处理过程中滑移和破裂的危险，这是由于有来官温度梯度和重 力所感生的应力。加工过程中晶片弯曲度和翘曲度会增大，这又会对光刻、快速退火等加工 带来不利影响。将其用于制备SOI晶片和 SiGe／Si晶片也会不可避免地产生另外一些问题。 · ． (邓志杰 摘译) 以熔融氧化物电解技术无排放生产铁 麻省理工学院的工程人员开发出一种适宜环保的生产铁技术。熔融氧化物电解技术 (MOE)仅仅释放氧气，而不产生其他排放，如 目前冶炼工艺产生的碳基化合物。MOE法 将电流通过液态氧化铁，而后氧化铁被分解为铁水和氧气，这样工艺中的主要副产物就是氧。 预期MOE工艺法炼铁比类似方法炼铝至少可提高生产率5．倍，并开发新材料以便使现 有反应器的部件使用时间更长。下一步验证 MOE工艺用于生产的可能性并确定扩大生产有 关的各项参数。 ， (杨英惠 摘译) 等温铝熔炼技术可节能_半 美国Apogee工艺公司开发出一项等温熔炼技术 (ITM)，与传统工艺相比可节能一半、 废气排放也减少一半。新材料及浸没式加热器制造工艺使 ⅡM工艺可用于铝的大规模生产。 目前，炼铝多使用振动炉，、用天然气或燃油加热。辐射热是主要传热机理，其热效率小于 3O％。 。 12 维普资讯