气源MBE外延自组装GeSi量子点的光致荧光.pdfVIP

第 32卷 第 8期 发 光 学 报 2011年 8月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 文章编号：1000-7032(2011)08-0789-04 气源 MBE外延 自组装 GeSi量子点的光致荧光 李 辉 ，何 涛 ，戴隆贵 ，王小丽，王文新，陈 弘 (中国科学 院物理研 究所 凝聚态物理 国家重点实验室 ，北京 100190) 摘要 ：利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致 荧光 (PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。气源 MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的 量子点覆盖度 。200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中，激子束缚能约为 17meV。升温至200K， 载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸 润层 的热激活能为 129meV。 关 键 词：气源分子束外延 ；锗硅量子点 ；激子；光致荧光；热猝灭 中图分类号：0472．3；4082．31 PACS：78．55．-m PACC：3250F；7855 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0789 量子点PL光谱的温度依赖性对实现高效量子点 1 引 言 光电器件具有重要意义。 近年来，半导体 自组装量子点材料在激光器、 本文利用独立设计 的气源分子束外延设备 发光二级管、探测器等光 电器件方面得到了广泛 (MBE)采用 S—K生长模式生长 了可用于 1．3 m 的研究与应用。在光通信系统中，由于石英光纤 波段 QDIP的GeSi自组装量子点材料 ，研究了量 在 1．3,／zm波段损耗可低于0．35dB／km且色散 子点的形貌及变激发功率和变温 PL谱。气源 较小 ，所以 1．3 m波段 的激光器和探测器在光 MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高 纤通信领域具有重要的应用价值。 目前，主流的 的量子点覆盖度。在 25K温度下对材料进行了 光电器件以具有直接带隙的Ⅲ．V族化合物半导 变激发功率 PL钡4量 ，发现量子点中的载流子 以 体为主，尤其在半导体激光器材料 中，Ⅲ一V族半 激子形式存在 。在 90W／ram 的激发功率密度下 导体 占主导地位 。在探测器方面，Ⅲ一V族半导体 对材料进行了变温度 PL测量 ，发现200K以下束 材料仍为主流，具有响应时间短 、响应度高等优 缚在量子点中的局域激子束缚能约为 17meV， 势，但存在制作成本高、与 si工艺不兼容的缺点。 200K 以上 ，载流子的输运过程发生明显变化。 在红外波段，与 si工艺兼容的Ge材料的雪崩二 对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合 极管(APD)和 PIN光电探测器 已得到广泛 的应 得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为 用 。随着纳米科学和材料制作技术的发展，新型 129 meV GeSi材料的量子阱红外探测器 (QWIP)和量子点 2 实 验 红外探测器 (QDIP)也在不 断的发展 中，其 中 QDIP能够克服 QWIP不能吸收正人射 的红外辐 实验采用独立设计的气源 MBE设备 ，用 乙硅 射的缺点，在研究中得到了高度重视，并取得了一 烷 (si：H)和锗烷 (GeH)分别作为硅和锗的气体 定的成果 ¨ 。 源 。采用 MKS压力控制器 (PC)与直径 0．2nlm