紫外辐照对超低介电常数SiCOH薄膜组成与机械性能的影响.pdfVIP

付 爽 等 ：紫外辐照对超低介 电常数 SiCOH薄膜组成与机械性能的影响 1旦蟹 紫外辐照对超低介电常数 SiCOH薄膜组成与机械一眭能的影响 付 爽 ，胡龙龙。，孟庆伟 ，丁士进 ，范仲勇 (1．复旦大学 材料科学系，上海 200433；2．复旦大学 微电子学系 ，上海 200433) 摘 要 ： 采用紫外光辐照超低介 电常数多孔 SiCOH 进行了分析 。 薄膜 ，研究不同照射时间对薄膜结构和性能的影响。 2 实 验 采用动态纳米压入技术测量薄膜的力学性能，发现随 照射时间增加 ，薄膜的模量 (E)和硬度 (H)不断提高。 以甲基三乙氧基硅烷和 1， (三乙氧基硅基)乙 当辐照时间增至 6h时，薄膜力学强度分别达到 E 约 烷为前驱体，非离子型表面活性剂 P123为模板剂，通 7．4GPa，H 约 1．0GPa。傅里 叶变换红外光谱 (FT— 过溶胶一凝胶方怯制备 了多孔 SiCOH 薄膜材料 ，详细 IR)、X射线光电子能谱 (xPs)分析表 明紫外辐照处理 制备过程如文献[7]所述。然后 ，将制备好 的样品放入 能够使薄膜样品中发生键的断裂与重新结合 ，从而改 宽谱紫外灯 (200 600nm)下照射 2～6h，研究其相关 变了薄膜骨架的交联密度和刚性，进而提高力学性能。 性能 。 但介 电性能并未受到明显影响，紫外辐 照 6h后 ，正值 采用傅 里 叶变换 红外 光 谱仪 (FT—IR，Ther— 仅从 2．0增至 2．2。 mofisher，Nicolet6700)测量薄膜 的红外吸收光谱 ，波 关键词： 紫外辐照 ；多孑LSiCOH薄膜；力学性能；低 数范围为 4000～400cm_。；采用 AxisUtraDLD型 X 介电常数 射线光电子能谱 (XPS，A1靶)分析薄膜组成和化学键 中图分类号 ： TB34；TM23 文献标识码 ：A 合状态 ，束流电压 15kV，发射 电流 10mA；并且以C— 文章编号 ：1001—9731(2011)O9—1657-03 Si键结合能 283．4eV校准。通过动态纳米力学测试 l 引 言 仪 (Hysitron，Ubi1)测量薄膜 的力学性能，压印深度 在超大规模集成电路互连系统中，低介 电常数 (是) 约为薄膜厚度的 1／10；G 测量采取金属一层 间介质一 材料已替代传统 的SiO 介质 ，成为 Cu互连介质研究 半导体 (MIS)结构在 KEITHLEY4200上进行。 的主流 。目前报道的 SiCOH 薄膜 由于含有 C基团和 3 结果与讨论 纳米孔隙，因此具有很低的 是值 (志约 2．3～3．0范围 内)，已成为被广泛研究的低 材料之一 _】]。通常情 3．1 P—SiCOH 薄膜的结构和化学组成分析 况下，为 了获得超低的 k值 (走2．3)，就需要在 Si— 图 1是 P—SiCOH薄膜经过紫外光照射不 同时间 COH薄膜 中引入更多的孔隙，即向多孔材料薄膜方向 的FT-IR光谱 。其 中 C—H 伸缩振动吸收峰位于 发展 ]。然而 ，当 值低于2．7时，多孔 SiCOH(P—Si— 3000~2800cm_。，si—CH。中c—H对称弯 曲振动吸 CoH)薄膜的力学强度明显退化 ，这使得其在工艺集