高纯砷烷的合成与开发进展.pdfVIP

维普资讯 第25卷第 1期 低 温 与 特 气 V01．25．No．1 2007年2月 LowTemperatureandSpecialtyGases Feb，2007 高纯砷烷的合成与开发进展 于剑 昆 (黎明化工研究院，河南 洛阳 471001) 摘要：砷化氢(AsH)是一种重要的电子特气 ，它主要用于 N型半导体的掺杂、离子注入、化学气相沉积 (CVD)等。 AsH 的工业合成主要有化学合成法和电解合成法2种，后者可在恒定浓度条件下制备AsH 。为满足电子工业所 需的高纯度需求，需要对其进行精制。As王{3的精制方法主要包括吸附法、低温冷冻／精馏法、膜分离法等 ，它们均 能满足各自不同的需求。同时介绍了AsH 的国内外经济概况和产品标准。 关键词：砷烷；掺杂剂 ；半导体工业 ；性质；合成；精制 中图分类号：TQ126．42 文献标识码：A 文章编号：1007-7804(2007)01-0016一o6 SynthesisAndDevelopmentProgressofHighPurityArsine YUJian—kun (LimingResearchInstituteofChemicalIndustry，Luoyang471001，China) Abstract：Amineisna importantelectronicspecialtygaswhichmainlyusedinthefieldsofN-typesemiconductordoping， ionimplement．chemicalvapordeposition (CVD)nadSOon．Theindustrialsynthesismethodsofarsineineludedchemi— cal synthesismethodnadelectrolysissynthesismethod ．Th elattercouldbecarriedoutunderconstantconcentration．Inor- dertOmeetthehighpuriytforeleetropJcindustry．itmustbepurified．Th epurificationmethodsofarsineincludedadsorp— tionmehtod，lowtemperaturecold／distiHationmehtod nadmembralleseparationmethod．Th eyallcanmeettherequires separately．Th eeconomicsincivilandabroadnadproductspecificationsofarsinealealsointrodueed． KeyW ords：arsine；dopna t；semiconductorindustry；property；synthesis；purification AsH 是一种重要的电子特气，它在半导体工 MPa，25oC下 的 比热容 0．494kJ／(kg ·K)， 业中主要用于外延硅的N型掺杂、硅中的N型扩 一 62．48℃下的蒸发潜热214kJ／kg。AsH，在室温 散、离子注人、生长砷化镓 (GaAs)和磷砷化镓 和 101．3kPa条件下在每 100g水中的溶解度为20 (GaAsP)，以及与ⅢA／VA族元素形成半导体化合 mL，一lO℃或加压条件下可形成AsH ·6H0。 物等。此外，AsH，在光电子、太