Bi2O3-Y2O3体系中纳米δ-Bi2O3相的生成规律研究.pdfVIP

维普资讯 盟堕望堇星 ： 堡墨± 鲞 ．望 塑塑生生型壁 壅 一 — — Bi。o一Yo。体系中纳米8一Bi0。相的生成规律研究 ‘ 何伟明 ，甄 强 ，潘度谊。，刘建强 (1．上海大学 材料学院．上海 200072；2．上海大学 纳米科学与技术中心 上海 20043BI3．上海大学 理学院 ·上海 200436) 摘 耍： 以分析她曲Bi(N()，·5H (]和 Y (N() ·6Hj() J【的氨水溶液550ml(pH-~-12) 然后用分析纯的Bi(N()s· 作为原料，经反向滴定法化学共沉淀、干蜾和430℃焙烧后簌得 5H：O和Y(NO，) ·6HO按照章尔比一3，l的比例称量井混 (75mo1BhO +25mo1 Y： 】蚋来复告粉俸．粉体平均粗度 合溶于稀硝酸溶液中．配制成 (B +Y卜)总浓度为0．Imol／L 3Onm 以下l通过常压反应烧蛄工艺制备了蚺米 Bi2(—Y( 快 的混合溶液。然后．在室温条件下，以PEG6000作为分散剂-将 离干导体，对烧持过程中高导电相 ( 来争Bk()|)柏彤成规律研 上述棍台溶液逐步滴定到配好的氨水溶液中．丽时通过控制搅 究结果表明：烧蛄和期以固溶反应为主．后期 晶枉长太为主， 拌建度、滴定速度，生成的悬浊液用超声波进行分散以减少粉体 晶牲生长规律符告(D—n，)=K -z抛特线方程；用模式识别 的团聚 最后得到的沉淀经真空干爆、430℃焙烧、研磨得到纳 技术对 Bi。( 相生成的工艺簪件进行了优化 米(75oto1％Bi!(+25mol YzO)共沉淀复音粉体。 关键词：纳米氯化铋；共沉淀法；-Bit(；工艺优化 利用RigakuD／max255OV(18kW)型X-Ray衍射仪分析粉 中田分粪号：O646．L 文献杯识码 ：A 体的物相和晶粒尺寸 用TEM(HrrACH1H-800E】EcTRON 文章螭号：1001-9731(2004)06-0727—03 MICR()SCOPE)对粉体颗粒形貌及尺寸进行观察。 2．2 纳米氰化铋基快离子导体材料的翩备亚采征 1 引 言 以聚乙烯酵(PVA)作为结台剂．将上述纳米混合糟体干压 氧化镪基材料是一种重要的快离子导体．在BI!()中引入 成型制得 10mm×2ram的圈片．成型压力为 L5MP且。将上述圆 Yz0 可以得列绪构稳定的立方晶墅瓯溶体 ( (】j)，该相的 片试样放在瓷舟内．一起放置在高温炉中隧j产升温。选择 550、 氧高于电导性能很高。微米晶粒的B_2【基固体电解质在低于 600，670C3个温度进行烧结．井在每十温度点选择了不同韵保 800℃的工作温度下离子电导性船比zr 等材料高几十数量 温时间。试样烧结后立即取出，在空气中冷却。烧结过的圆片 级，而纳米B 固体电解质的工作溢度还可以大幅降低．离子 试样用RigakuD／max25s0V(18kW)型X·Ray衍射仪分析粉体 电导率也可以进一步提高，有望在汽车尾气 太气环境监跚、燃 的物相和晶粒度。根据 XRD分析结果研究不同温度和不同烧 料电池、冶金等更广阔的领域里得到应甩。因此．缩米B (一 结时间条件下烧螭试样的物相变化规律和晶粒长大规律．并以 Y。O 将是一种很有前进的快离子导体材料。 此研究纳米氧化铋基快离子导体材料在无压烧结过程中蚋米 制各纳米氧化铋基侠离子导体材料包括两个关键步骤：一 ()相生成的最佳工艺条件。 是制备纳米凰 。|+Y。()复台粉体．二是反应烧结制备纳米晶 氧化铋基快高子导体材料 目前 ．纳米氧化铋粉体的制各方法 3 实验结果及分析讨论 一 般包括化学沉淀法[卜 、