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维普资讯 2007年J第3期 些方法还可以明显提高沉积速率。这些方法的激发模式是利用气体前体 (SiH4，Ge 和掺杂 剂 PH3,B2H6等)的离解以提供更有反应活性的基因，如 SiH_2a沉积过程中衬底温度约 150 ℃或更低以扩大衬底材料的选择范围，如钠钙玻璃、不锈钢箔和聚酰亚胺。 ．S H太阳电 池具有熟知的光感生退化 (SW)效应，它与非晶结构中的弱键合H或悬挂键有关。单结P．i．n 电池，效率退化可达 l0％ 0％；但双结或三结电池 (有薄的吸收层)，效率退化≤10％~15％。 目前大量生产光谱分裂三结电池 (2004年，联合太阳公司生产 14MW)，是采用连续滚动 (roll torol1)加工，电池面积约2km (长)X30era (宽)。 SiH太阳电池的材料科学和工艺已 相当成熟，虽然还有些问题尚待研究，关键问题之一是提高PECVD工艺的沉积速率而同时 保持高的材料质量并需减小批量生产用沉积系统的尺寸。 CIGS CIGS一般是在涂Mo衬底(玻璃，不锈钢或聚酰亚胺)上沉积的，再沉积 CdS(Eg =2．4eV是很好的窗口层)和TCO(透明导电氧化物)。该种电池在过去25年来一直稳步发展， 由最初转换效率6％提高到目前的19．6％。典型的沉积工艺是采用 4个 Knudsen池源 (Se， Cu，In，Ga)的共蒸发技术，衬底温度约550℃。为得到高质量电池，在吸收层形成过程中 要仔细调整源流量。最好电池采用三步加工法，并总处于过量 Se蒸汽中，首先在Mo上沉 积h和Ga(较低温度下)，再在较高温度沉积Cu，随后沉积贫Cu层：在高温下沉积In和 富Ga层。膜生长过程中会发生互扩散：因此从被接触到前异质结存在着载流子浓度和带隙 的变化。另一常用的沉积工艺是金属 (h、Ga、Cu)进行硒化。CIGs电池的商业化进程落 后于CdTe电池，目前的主要生产厂有：SheUSolar、WuerthSolra和 Gl0balSolra。 CriTe 可以用多种沉积技术成功制备CdTe电池，如闭合空间升华 (CSS)，气相输运 沉积 (VTD)、电沉积、MOCVD、丝网印刷和磁控溅射：用这些方法均已生产出转换效率 12％以上的电池。最好电池效率为 l6．5％，是美国可再生能源实验室 (NIL)研制的，采 用的是硼硅玻璃衬底，其基本结构为TCO／Cd2SnOdZn2SnOdn．CdS／p．CdTe。商品电池的效率 为 l2％ 14％。CdTe电池中，晶粒间界如何被钝化尚未得到深入理解 尽管CdTe电池最高 效率低于CIGS电池，但它更易于进行大规模沉积，这应与它是二元化合物有关。两家公司 (FirstSolra，LLC)批量生产约 lm 的电池板。生产量将从 目前的20--25MW／~增加到2007 年的70MW!~。 大面积组件生产中的莱些问曩 用薄膜材料制各小面积 (1cm 或更小)电池到生产大面积组件 (～1m2)，还存在_些问 题。用小电池组装大面轵组件时每个电池可单个进行处理以剔除废品。对于薄膜电池，可能 有低密度针孔甚至弱二极管 (效应)，这些会使组件性能严重退化 所以在生产实践中要采 取某种技术排除或隔离这些 “分流”问题。对不同材料已找到特定的方法 例如 对 CdTe 电池，在制备导电背接触前，对 CdTe背表面进行光敏化处理可以大大降低其弱二极管效应。 还发现，在TCO和CdS之间的电池前端的界面层也可以提高组件性能。 · (邓志杰 摘译) 开发高效4端机械迭层太阳电池 目前，可再生能源供应主要是水力发电和风能。但过去 10年来，太阻电池产量持续增 长，其增长率每年为25％ 0％。2005年，太阳电池产量达 1．7GW。目前，地面应用的太阳 2 维普资讯