多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征.pdfVIP

第26卷第4期 光 电技术应用 Vo1．26．No．4 2011年8月 ELECTRO—OPTICTECHNIOL0GY APPLICATIO~N August，2011 光 电器件与材料 · 多孔硅衬底上ZnS薄膜的PLD制备和表征 王彩凤 ，李清山。，胡 波 ，李卫兵 ，伊厚会 (1．滨州学院物理与电子科学系，山东 滨州 256603；2．鲁东大学，山东 烟台 264025； 3滨州学院 飞行学院，山东 滨州 256603；4．滨州学院 航空信息技术研发中心，山东 滨卅I 256603) 摘 要 ：在电化学阳极氧化法制备的多孑L硅 (poroussilicon，PS)衬底上用脉冲激光沉积法 (pulsedlaserdeposition，PLD) 在250。C和350。C下生长ZnS薄膜。NRD图样显示，制备的ZnS薄膜沿p．-ZnS(111)方向择优生长，较高的生长温度下，衍射峰 强度较大。sEM结果表明，250。c生 [~JZnS溥膜表面疏松 、不平整，这是由于衬底PS的粗糙结构所致，N350。c牛长温度下， 尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的品粒 ，但总体变得平整致密。室温下的此致发光 (PL)谱表明，350。C样品中ZnS的自激 活发光强度高~=250。C样品，而PS的红光强度低于250。C样品且峰位红移。}~ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加，在可见光区 450～,700nm形成了一一个较宽的光致发_光谱带，ZnS／PS复合体系早现较强的 光发射。 关键词：脉冲激光沉积；光致发光 ；ZnS；多孔硅 中图分类号：0484．41 文献标识码：A 文章编号：1673-1255(2011)04—0053—03 PLDPreparationandCharacterizationofZnSFilmsonPorousSilicon Substrates WANGCai—feng一，LTQing—shan，HUBo一，LIWei—bing一，YIHou—hui (1．De，)r上Ⅲ,erdofP csandElearonicScience，Binzhou ，e ￡y，Binzhou256603，China； 2．Ludongf ，tvl，Yahtai264025，C n以3．，y， CoHege，Binzhou (，n e， zy，Binzhou256603，China, 4Aviati~m ，7RD Center．BinzhouUniversity，Binzhou256603，China) Ab1stract：ZnSfilmsaregrownat250℃ and350℃ bypulsedlaserdeposition (PED)onporoussilicon rPS)substrateswhicharepreparedbyelectrochemicallanodization．X-raydifi：raction(XRDJpatternsshowthat ZnSfilmsaregrowninpreferredorientationalong-ZnS(111)direction．W ithhighergrowthtemperature，the dimactionFeakintensityofZnSfilmsislmger．Scanningelectronmicroscope(SEM)imagesjindicatethatthe surfaceof ZnSfilmsgrownat250℃ islooseandunsmoothed~hichisattributedtotheroughstructurecfPS substrate~hilethefilm surfacebecomessmoothandcompactat350℃ althoughsomecrystallinegrainswithap— parentsizeappears．Thephotolumine