氧化锡纳米复合材料的表征 X射线光电子能谱方法 征求意见稿.docVIP

发布前 言 本标准按照GB/T1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。 本标准附录A、附录B、附录C、附录D为资料性附录。 请注意本文件的某些内容可能设计专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由中国国家认证认可监督管理委员会提出并归口。 本标准主要起草单位：中华人民共和国辽宁出入境检验检疫局。 本标准参加起草单位：中国检验检疫科学研究院。 本标准主要起草人：刘名扬，赵景红，李卫刚，徐宏伟，张颖焱，郭雅琳，欧阳昌俊，姜莉，邹明强等。 本标准系首次发布的出入境检验检疫行业标准。 引 言 氧化锡纳米粉是良好的半导体材料、是最重要的气敏传感器材料；而氧化锡纳米复合纳米氧化铟锡In2O3（SnO2）复合粉体是用途广泛的功能材料，俗称ITO粉体ITO作为一种N型半导体材料以其良好的电导、透光性能，而成为电子行业显示器、显像管防静电、防辐射、防眩目的热点材料在液晶显示、微波屏蔽、隔热玻璃、太阳能电池、车辆窗口去雾除霜等方面获得日益广泛的应用1400°C及严酷的环境中使用，因此，广泛地应用于气体涡轮、喷气引擎、还有火箭引擎等领域；银氧化锡（AgSnO2）是目前最具有商业价值的银氧化镉替代材料，由于比银氧化镉有较好的稳定性和更高的硬度，因此具有更好的抗熔焊和耐烧损性氧化锡复合复合复合复合复合本标准规定了氧化锡纳米复合材料的X射线光电子能谱表征方法。适用于基于1nm至100 nm的不同氧化锡纳米复合材料的表征。 其它金属氧化物的纳米复合材料的表征亦可参照本标准执行。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准。然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 19619 纳米材料术语GB/T 13966 分析仪器术语 3 术语和定义 GB/T 8170中的术语及下列术语和定义适用于本文件。 tin oxide 纳米氧化锡包括至少一维尺寸在纳米级的氧化锡。 3.2 纳米复合材料 nanocomposites 纳米复合材料是指纳米材料与其他材料复合而成的材料。 3.3 纳米氧化锡-碳纳米管复合材料in oxide-CNT nanocomposites，SnO2-CNT 指纳米氧化锡与碳纳米管复合而成的材料。 3.4 纳米氧化铟锡ndium tin oxide nanocomposites，In2O3（SnO2）纳米纳米氧化铟锡复合粉体是用途广泛的功能材料，俗称ITO粉体纳米银氧化锡 siller tin oxide nanocompositesAgSnO2 指纳米氧化锡与纳米银, XPS X射线光子的能量在1000～1500ev之间，不仅可使分子的价电子电离，而且也可以把内层电子激发出来，内层电子的能级受分子环境的影响很小； 同一原子的内层电子结合能在不同分子中相差很大，具有特征性。X射线光子入射到固体表面激发出光电子，利用能量分析器对光电子进行分析的实验技术称为光电子能谱。XPS是一种用于测定材料中元素构成、实验式以及其中所含元素化学态和电子态的定量能谱技术是一种崭新的表面分析方法atomic concentration X射线光电子能谱谱线强度反映原子的含量或相对浓度。方法原理 用X射线照射固体时，由于光电效应，原子的某一能级的电子被击出物体之外，此电子称为光电子。如果X射线光子的能量为hν，电子在该能级上的结合能为Eb，射出固体后的动能为Ec，则它们之间的关系为：hν=Eb+Ec+Ws 式中Ws为功函数，它表示固体中的束缚电子除克服各别原子核对它的吸引外，还必须克服整个晶体对它的吸引才能逸出样品表面，即电子逸出表面所做的功。上式可另表示为：Eb＝hν-Ec-Ws可见，当入射X射线能量一定后，若测出功函数和电子的动能，即可求出电子的结合能。由于只有表面处的光电子才能从固体中逸出，因而测得的电子结合能必然反应了表面化学成份的情况。X射线光电子能谱谱线强度反映原子的含量或相对浓度。这正是光电子能谱仪的基本测试原理。仪器与设备 分析天平感量0.1g。 玛瑙研钵。 XPS具有真空系统、离子枪、进样系统、电子能量分析器以及电子探测器等部件。XPS中的射线源通常采用AlKα（1486.6eV ）和MgKα（1253.8eV），它们具有强度高，自然宽度小（分别为830meV和680meV）。CrKα和CuKα辐射虽然能量更高，但由于其自然宽度大于2eV，不能用于高分辩率的观测。为了获得更高的观测精度，还使用了晶体单色器（利用其对固定波长的色散效果），但这将使X射线的强度由此降低。试样5.3）中待