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第24卷第4期 无机材料学报 V01.24,No.4
of Materials
Journal
2009年7月 Inorganic Jul.,2009
文章编号:1000—324X(2009)04-0783-04
非极性GaN用,.面蓝宝石衬底
杨新波1…,徐军1,李红军1,毕群玉2”,程艳2”,苏良碧1,周国清2
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所透明光功能无机材料重点实验室,上海201800;2.中国科学院上海
光学精密机械研究所,上海201800;3.中国科学院研究生院,北京100049)
摘要:采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(0112)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶
质量、光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下:平均半峰宽值为19.4arcsec;位
X
错密度为5.6
为0.49nm.结果表明,温梯法生长的r(0112)面蓝宝石衬底结晶质量好、位错密度低、光学性能优良、加工的表面质量
高,达到了GaN外延衬底的标准.
关键词:r面蓝宝石;非极性GaN;衬底
中图分类号:0484 文献标识码:A
Substratefor GaNFilm
R·-planeSapphire Non--polar
YANG
Xin.B01,3,XUJunl,LIHong—Junl,BIQua—Yu2’3,CHENGYan2·3,SUHang.Bil,ZHOUGuo.Qin92
of and Advanced Instituteof
(1.KeyLaboratoryTransparentOpto—FunctionalInorganicMaterials,ShanghaiCeramics,Chinese
of 201 of andFine
Institute ofSei—
AcademySciences,Shanghai800,China;2.ShanghaiOptics Mechanics,ChineseAcademy
Graduate oftheChinese of
ence$,Shanghai201800,China;3University AcademySciences,Beijing100049,China)
for
used of GaNfilmwas the
Abstract:R·-planesapphire epitaxialgrowthnon·-polar grownby temperature
andchemicalmechanicalmethodwasusedto the
gradienttechnique(TGT)method polishr-planesapphire
substrate.The andsurface ofas—obtained
crystallizationquality,opticalproperty roughness r—planesapphire
substratewere fullwidthhalf
at
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