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第24卷第4期 新型炭材料 V01.24No.4
2009年12月 NEWCARBONMA7rER【A1.S Dec.2009
文章编号:1007-,8827(2009)04-0379-04
分步插层法制备硝酸盐一硫酸一GIC
韩志东, 杜鹏, 董丽敏, 张显友
(哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨150040)
摘要:通过硫酸、硝酸或硝酸盐分步插层的方法,成功制备了硝酸/硝酸盐一硫酸一GIC三元石墨层问化合物。采
用xRD、SEM和EDS对GIC的结构进行了研究。结果表明:与直接插层法相比,分步插层法有利于插层物质的插
层反应,充分扩大石墨层间距,形成低阶石墨层间化合物,使膨胀效果更优。膨胀体积高达450mL/g以上;膨胀后
GIC的孔结构均匀,层壁较薄,片层结构清晰,膨胀充分。同时,分步插层法能够降低实验操作的危险性,污染小,
反应易于控制。
关键词:分步插层法;石墨层阔化合物;硝酸;硫酸
165 A
中图分类号:TQ 文献标识码:
1 前言 2实验
intercalationcorn-2.1原材料
石墨层间化合物(Graphite
pound,GIC)是用物理或化学方法使异类原子、分子鳞片石墨(50目,纯度为99.9%,青岛天和石墨
或离子插入石墨层间而生成的新型化合物,亦称插 有限公司);硫酸(质量分数98%,分析纯);硝酸
层化合物¨]。GIC具有一些独特的理化特性,如高(质量分数65%,分析纯);重铬酸钾(分析纯);硝
导电性、超导性、电池特性、催化剂特性、储氢特性 酸铁(分析纯);硝酸钠(分析纯)。
等,使其研究受到广泛关注【2J。近年来,将两种或 2.2 GIC制备
多种物质复合插入石墨层间形成多元GIC的制备 硫酸一硝酸一GIC制备采用两种方法,直接插层
和性能研究大量展开13。j,其中有关给体型插层剂的 法和分步插层法。
三元GIC的报道较多,而有关受体型插层剂的多元 直接插层法:将硫酸和硝酸同时与石墨反应制
GIC的研究报道相对较少¨1。 得GIC。制备工艺:混合硫酸、硝酸,以重铬酸钾为
化学氧化法和电化学法是制备硫酸插层GIC 氧化剂氧化插层鳞片石墨,反应在水浴30℃下进
普遍采用的方法【9J。电化学法是目前用于研究受 行,反应30min后,水洗至pH=7,抽滤,50℃烘干,
体型插层剂的三元GIC的主要方法,采用该方法可 得硫酸·硝酸一GIC(F—HN03一H2S04一GIC)。
S04一H2 分步插层法:先合成二元石墨层间化合物,再由
制备H2S04一HN03-GIC、H2Se04一GIC、H2
SO。。CH,COOH—GIC、H:SO。一HCOOH—GIC等三元另一种客体材料直接与其作用,生成三元插层化合
GIC【1 物。具体方法为:在硫酸、重铬酸钾对鳞片石墨进行
0J。但有关化学氧化法制备三元GIC的研究
报道很少。在采用化学氧化法制备GIC的过程中, 初步插层氧化反应后,使用一定用量硝酸、硝酸铁、
氧化是最为关键的步骤。而目前普遍使用的一次氧 硝酸钠溶液作为二次插层剂对其进行二次插层。反
化法不能充分发挥氧化剂对石墨插层反应的作用, 应同样在水浴30℃下进行,两步反应时间均为
不利于实现对插层反应的控制。本文主要报道采用 30min,反应后水洗至pH=7,抽滤,50℃烘干,得分
~次氧化法直接捕层和分步插层,比较研究了硝酸/ 步插层法GIC。将以硝酸、硝酸钠和硝酸铁为二次
硝酸盐一硫酸一GIC的制备方法及其对GIC结构和性
能的影响。
收稿日期:2007—10-30;修回日期:2009·12-03
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