SooPAT多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法.pdfVIP

SooPAT多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法.pdf

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SooPAT 多层材料的减薄装置及减薄待测 样品的方法 申请号:201110416216.2 申请日:2011-12-14 申请(专利权)人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 地址 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 发明(设计)人刘争晖 徐耿钊 钟海舰 樊英民 曾雄辉 王建峰 周桃飞 邱 永鑫 徐科 主分类号 G01Q30/20(2010.01)I 分类号 G01Q30/20(2010.01)I 公开(公告)号102520212A 公开(公告)日2012-06-27 专利代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 孙佳胤 翟羽 注:本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102520212B* *CN102520212B* (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 102520212 B (10)授权公告号 CN 102520212 B (45)授权公告 日 2013.10.30 (21)申请号 201110416216.2 JP 特开2003-329643 A,2003.11.19, 全文. US 5618760 A,1997.04.08, 全文. (22)申请 日 2011.12.14 CN 102269772 A,2011.12.07, 全文. (73)专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米 CN 101079331 A,2007.11.28, 全文. 仿生研究所 CN 102089864 A,2011.06.08, 全文. 地址 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖 颜学进等. 刻蚀腔InGaAsP/InP 双异质结激 高教区若水路398 号 光器的制作与特性. 《半导体学报》.1997, 第18 (72)发明人 刘争晖 徐耿钊 钟海舰 樊英民 卷 (第11 期),836-839. 曾雄辉 王建峰 周桃飞 邱永鑫 审查员 张沫 徐科 (74)专利代理机构 上海翼胜专利商标事务所 (普通合伙) 31218 代理人 孙佳胤 翟羽 (51) Int.C l. G01Q 30/20 (2010.01) G01Q 60/02 (2010.01) (56)对比文件 US 5742172 A,1998.04.21, 全文

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