碳化硅与LAS（Li2O-Al2O3-SiO2）界面化学稳定性研究.pdfVIP

维普资讯 第22卷 第6期 材 料 科 学 与 工 程 学 报 总第92期 V01．22 No．6 JournalofMaterialsScience Engineering Dec．2004 文章编号：1004-793X{2004)06-0881·05 碳化硅与LAS(Li20．AI203．SiO2)界面化学稳定性研究 曹涯路 。王 利 。杨光义 。潘 颐 (浙江大学材料与化工学院。浙江 杭州 310027) 【摘 要】 借助最新最权威基本的热力学数据 ，按化学平衡理论，分析SiC和 LAS(LiO．A103一SiO)之间可能发生 的化学反应，定量计算在SiC中不同c活度，不同温度下SiC和 LAS间诸反应各气相产物的分压和分压总和，精确分析 SiC和LAS界面的热力学稳定性 ，提供在一个大气压惰性气体环境下，SiC和 LAS界面的热力学失稳判据，为 SiC材料研 究者提供可靠的参考资料。 【关键词】 碳化硅 ；LAS(LiO—A1O，．SiO)；界面热力学；化学稳定性 中图分类号：TQ174．758．12，064 文献标识码：A ThermodynamicAnalysisoftheChemicalStabilityOfSiliconCarbide andLAS(Li2O-Al2O3-SiO2)Interfaces CAo Ya-lu，WANG Li，PAN Yi (DeparmentofMaterialsScienceandEngineering，ZhejiangUniversity，Hangzhou 310027，China) 【Abstract】 Basedonthemostupdatedandanhtorizedhtermodynamicdata，山ereactionsamongSiCandLASmeltshavebeenstudied usinghteequilibrium theoryofchemicalreactions．Theequilibrium partiM pressure ofSiO、CO andA120 resultingfrom reactionsofSiC and LAShasbeenhtermodynamicallynaalyzedbytakingcarbonactivityinSiC andtemperatureintoaccount．Th echemicM stabilityofSiC and LASinterfacesunderaninertambientof1atmospherehas beenjudged．Thecriterionusedinthejudgementisthatthetotalpressureofall gaseousproductsisover1atmosphere．Th equantitativeresultsareprovidedasrelibalereferencesformaterialsresearch． K【eywords】 siliconcarbide；LAS(Li2O—A1203一Si02)；interfacethemrodynarmics；chemicalstability 烧结碳化硅陶瓷的报道 中，烧结过程 中液相助剂或添加剂 1 前 言 能提高碳化硅的表面能和扩散系数。例如： 或 A1O，4]、 A103和 o] 混合物 、c和 B7等。在烧结SiC过程中，Al 碳化硅 (SiC)是一种强共价键的半导体陶瓷，当用做 电 或 Alo1及Alo1和Yo1的混合物可形成液相 ，c和B能提 炉发热体时，在 1000℃的高温氧化环境下长期使用，不会发 高SiC组分的扩散系数。这些烧结大多在高压和高温 生氧化反应而失效，通常认为它是化学稳定性很高的材料。