离子束溅射制备Si／Ge多层膜的结晶研究.pdfVIP

维普资讯 第34卷第2期 人 工 晶 体 学 寺艮 2005年4月 JOURNAL OFSYNTHETIC CRYSTALS 离子束溅射制备 Si／Ge多层膜的结晶研究 邓书康，陈 刚，高立刚，陈 亮，俞 帆，刘焕林，杨 宇 (云南大学化学与材料工程学院，昆明650091) 摘要：采用离子束溅射制备Si／Ge多层膜，通过X射线小角衍射计算其周期厚度及各子层的厚度，用Raman光谱对 Si／Ge多层膜的微观结构及 si子层的结构进行表征。结果表明，所制备的Si／Ge多层膜中，当Ge子层的厚度为 6．2nm时，Si子层的结晶质量较好，表明适量的Ge含量有诱导si结晶的作用。 关键词：Si／Ge多层膜；离子束溅射；拉曼光谱 中圈分类号：076 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2005)02-0288-04 StudyonCrystallizationoftheSi／GeMultilayerFilms PreparedbyIon-beam Sputtering DENGShu-kang。CHEN Gang，GAOLi-gang，CHEN Liang ，YUFan，LIUHuan-lin，YANGYu (CollegeofChemistryandMaterialsEngineering，YunnanUniversity，Kunming650091，China) (Received14September2004) Abstract：Si／Gemuhilayerfilmswerepreparedbyion-beam sputtering．Themicrostructureparametersof muhilayerfilmswerecharacterizedbylow angleX—raydiffractionandRamanscattering．Theresultshows thatthecrystallinequalityofSisublayerisbetterthan otherswhen thethicknessofGesublayersis 6．2nm．ThisindicatesthatapropercontentGecaninduceanamorphoussicrystallization． Keywords：Si／Gemultilayerfilm；ion-beam sputtering；Ramanspectra 1 引 言 (si)／(Ge)应变层超品格是一类特别备受关注的超品格体系，这种由M层 si原子和N层Ge原子组 成基本单元的超品格以共价键的方式结合在一起，通过控制不同的层数和合金成份，可对 “Si／Ge应变层”的 光学特性等进行人工剪裁。但是Ge的品格常数较 si大4．2％，因此硅锗组成的是品格失配体系。目前Si／ Ge应变超品格一般是采用MBE或CVD技术制备，这类方法虽然能够制备出比较完整的晶体结构，但仪器 价格昂贵，制备出样品的成本高，难实现工业化生产。本实验室曾对用磁控溅射法制备的Si／Ge多层膜的界 面结构进行x射线小角衍射分析 j，确定出多层膜的周期厚度等一些参数，并成功地在非晶si上生长出 Ge晶体 ，最近才开始进行离子束溅射实验的研究工作。 离子束溅射是近来制备薄膜的物理方法之一，由于其工作真空度高，沉积速率较慢，从靶材溅射出来的 原子能量较高(10eV)，当原子沉积到基片上后还有足够的能量进行扩散，因而膜的质量好，且其设备结构简 单，操作方便，易实现规模化生产。本文探索采用离子束溅射制备(Si)／(Ge)超品格可能，通过x射线小 收稿 日期 ：2004-09—14 基金项目：云南省科技攻关项 目(NO．2001GO6)资助 作者简介：邓书康 (1974-)，男，云南省人，硕士。E-mail：skdeng@126．corn