超高亮度LED在太阳能城市灯光系统中的应用.pdfVIP

第16 卷 第6 期 武 汉 科 技 学 院 学 报 Vol.16 No.6 2003 年12 月 JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND ENGINEERING Dec . 2003 超高亮度LED 在太阳能城市灯光系统中的应用 冯 昌，徐进明 （武汉科技学院科研处，湖北 武汉 430073 ） 摘要：介绍超高亮度LED 的发展概况，包括超高亮度LED 的研究开发、产业和市场的发展现状和水平；在 绿色照明技术研究开发方面，介绍国内外超高亮度LED 在研究开发中所取得最好水平以及LED 在太阳能城 市灯光系统中的应用，并对其未来发展趋势作出初步估计。 关键词：太阳能；LED ；灯光系统 中图分类号：TM615 ；TM914.4 文献标识码：A 文章编号：1009－5160 （2003）－0039－03 1 LED 的发展进程 LED （注入式电致发光二极管）已有近30 年的发展历程。第一批商业化的LED 出现于己于1968 年， 尽管多年以来LED 一直受到颜色和发光效率的限制，但由于GaP 和GaAsP LED 具有长寿命、高可靠、工 作电流小、可与TTL、CMOS 数字电路兼容等许多优点，因而受到使用者的青眯，开始进入包括宇航、飞 机、汽车、工业应用、通信等多种应用领域，到1996 年LED 在全世界的销售额已达到几十亿美元。 近十年来，LED 材料和器件工艺技术研究的前沿课题一直是超高亮度化、全色化。所谓超高亮度LED （UHB ）是指发光强度达到或超过100mcd 的LED ，又称坎德拉（cd ）级LED 。由于利用A1GaInP 和InGaN 做发光层，超高亮度LED 的研制进展十分迅速，并达到常规材料GaA1As 、GaAsP、GaP 不可能达到的性 能水平。1991 年日本东芝公司和美国HP 公司研制成InGaA1P （λ=620nm）橙色超高亮度LED ，1992 年 InGaA1p （λ=590nm）黄色超高亮度LED 实用化。同年，东芝公司研制InGaA1P （λ=573nm）黄绿色超 高亮度LED ，法向光强达2cd 。1994 年日本日亚公司研制成InGaN （λ=450nm）蓝（绿）色超高亮度LED 。 至此，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED 都达到了坎德拉级的发光强度，实现 了超高亮度化、全色化，使发光管的户外全色显示成为现实。 我国发展LED 起步于二十世纪七十年代，产业出现于二十世纪八十年代。目前全国约有100 多家企业， 其中 95%的厂家都从事后道封装生产，所需管芯几乎全部来自台湾地区或从国外进口。通过几个“五年计 划”的技术改造、技术攻关、引进国外先进设备和部分关键技术，使我国LED 的生产技术已向前跨进了一 步。我国台湾地区是世界LED 及管芯的主要产地，年产LED 约40 亿只，产品品种规格齐全，性能达到或 接近世界先进水平，所生产的管芯也大量出口日本等国。 2 超高亮度LED 的基本性能 2.1 各色超高亮度LED 的基本特性 超高亮度红A1GaAs LED 具有更高的发光效率，透明衬底 （TS ）A1GaAs LED （640nm）的流明效率 已接近10lm/w ，比红色GaAsP-GaP LED 大10 倍。超高亮度InGaAlP LED 提供的颜色与GaAsP-GaP LED 相同，包括：绿黄色（560nm）、浅绿黄色（570nm）、黄色（585nm）、浅黄（590nm）、橙色（605nm）、浅 红（625nm）、深红（640nm）。InGaAlP LED 吸收衬底（AS ）的流明效率为10 1m/w，透明衬底（TS ）为 20 1m/w，在590－626nm 的波长范围内比GaAsP-GaP LED 的流明效率要高10－20 倍；在560－570 的波 收稿日期：2003-08-21 作者简介：冯昌（1949- ），男，副研究员，研究方向：纺织、太阳能利用等. 40 武 汉 科 技 学 院 学 报 2003 年 长范围内则比GaAsP-GaP