RF CMOS低噪声放大器研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 8 91 Y2261掣必删 随着无线通信技术的飞速发展和市场需求的不断增加，对射频接收机的性 能提出了更高要求，而低噪声放大器作为接收机关键的第一级，其噪声、线性范 围、增益等指标直接影响整机性能。同时在众多工艺中，虽然硅CMOS的高频性能 和噪声性能不是最好，但由于它的工艺最为成熟、成本最低、功耗最小、应用也 最为广泛，且随着技术水平的提高，硅C~10S的频率特性和噪声特性也逐渐得到改 善，因此CMOS射频集成电路将很可能是未来发展的趋势。 目前市场流行的通讯产品芯片，设计时需要考虑功耗、噪声、面积等特性。 要想同时获得高电压增益、高线性度、低噪声及低功耗，是很不现实的，一方面 因为在LNA的设计中需要做出取舍，为了获得某项良好的性能，可能要牺牲其 它性能，另一方面，受元器件本身和外部因素的影响，性能只会变得更差。因此， 一个好的LNA要看它实现目的的方法和程度。 本文首先对无线接收系统做简单介绍，以台湾集成电路代工厂(TSMC)0．18 m u CMOS工艺中的电容、电感和电阻器件为基础，介绍了元器件的结构工艺和 电路等效模型。在噪声部分介绍了基本噪声理论，同时对低噪声放大器噪声性能 作分析，比较了CS—LNA和CG—LNA的电路特点，探讨了采用经典的共源共栅结 构的好处，提出优化噪声可能办法。阐述了非线性产生的原因，具体分析了卜dB 和三阶交调特性。通过对经典的Cascode分析和比较，提出利用电流镜为MOSFET 提供偏置电压，由于电阻噪声很大，采用LC网络代替电阻对电流镜限流，在CS 栅源级并接电容，并在栅极串接电感以便联合调谐；电路采用CS和CG级间电感 消除级联电路寄生参数，最后在输出端接LC谐振网络实现端口阻抗匹配，保证 在需要的中心频率点获得低噪声、高增益。 LNA，采用ADS(Advanced 本文分析了2．4GHz小信号的CMOS desi盟 的增益。作出图形曲线，仿真的结果在允许范围内，并探讨了各元器件对电路参 数的影响程度。 关键词：CMOS、低噪声放大器、射频、共源共栅 Ⅲ Abstract Abstract Aswnlessco衄u11ica石on aIldme of tecllllolo百es rapid development m缸ket of也eRFreceiVer a dem锄d，Ⅱle eVe卜iIlcreasiIlg perfo衄a11Ce requireslligher me classofnle staIldard．HOweVer，as receiVer血e key low-noise锄pUfier’snOise， liIlear ottleriIldicatorshas onmaChiIle range，gain孤d dil僦ny如-pact perforII坷∞e． Atnlesanle CMOS of noisea