软磁薄膜巨磁阻抗效应及应力阻抗效应研究.doc

上海交通大学博士学位论文  摘要  软磁薄膜巨磁阻抗效应及应力阻抗效应研究 摘 要 磁传感器广泛地应用于信息技术、自动控制、交通运输、电力电子、 医疗仪器等诸多领域，在现代工业中地位举足轻重。在各种磁传感器中， 巨磁阻抗传感器尽管尚未得到广泛应用，但由于它能够同时满足灵敏度 高、尺寸微型化、响应速度快、功耗低、非接触测试和没有磁滞等要求， 并且使用交流驱动，可以实现调制、解调、滤波、振荡和共振等多种功 能，因此对它的研究越来越受到各国研究者的重视。此外，在巨磁阻抗 效应研究启发下提出的应力阻抗效应，可用于制造高性能的力敏传感器， 也得到了重视和研究。 Fe 基软磁材料具有优良的软磁性能，价格低廉，资源丰富，其较大 的磁致伸缩系数又有利于获得较大的应力阻抗效应；而薄膜能够与大规 模集成电路工艺相兼容，易于多层化以及便于实现批量化生产，因此本 文选择具有较大磁致伸缩系数的 Fe 基软磁薄膜作为研究对象，从理论和 实验两个方面对“铁磁层/导电层/铁磁层”结构 Fe 基三层夹心薄膜的巨 磁阻抗和应力阻抗进行了系统研究，主要研究内容和取得的创新性成果 如下： 1. 理论研究：对单层和三层夹心结构薄膜的巨磁阻抗和应力阻抗效 应建立了理论模型，并对 Fe 基薄膜进行了模拟计算，包括： （1）从麦克斯韦方程和磁化强度的运动方程出发，根据电流在导体 中的分布以及铁磁体中磁化强度在高频下的运动模式，建立了单层和三 层夹心结构的铁磁薄膜阻抗计算的理论模型。在建立的模型中，全面考 虑了包括退磁场和应力等在内的诸多影响因素； i 上海交通大学博士学位论文  摘要  （2）在求解方程的过程中，采用 MATLAB?计算软件辅助进行符号 与数值运算，并将符号运算与数值运算混合运用，成功地解决了方程初 始变量众多，方程不便求解的问题，使得所有产生影响的初始变量都包 括在了理论模型中，没有为求解方程而忽略变量。同时这样的处理又避 免了数值计算量大，循环计算时间冗长的问题； （3）运用得到的理论模型，对单层和三层夹心结构的 FeSiB 薄膜的 巨磁阻抗效应进行了系统的模拟计算，研究了薄膜的磁各向异性、电流 频率、阻尼系数、尺寸效应、外加磁场方向以及薄膜所受应力等因素对 阻抗的影响，并从中得到应力阻抗效应的理论来源，同时对应力阻抗效 应也做了理论模拟计算。理论模拟计算的结果表明，薄膜的磁各向异性 取向的影响最大，同时薄膜其他的诸多因素亦有显著的影响； （4）对比单层和三层夹心结构的 FeSiB 薄膜的巨磁阻抗效应及应力 阻抗效应的理论计算结果，发现它们的变化规律有很多相似之处，但是 三层夹心结构的 FeSiB 薄膜的阻抗变化较大，并且变化的最大值在较低的 电流频率下就能够得到，在实际应用中应具有很大的优势。 2. 实验研究：采用不同的制备工艺制备了不同形态的三层夹心结构 的 FeSiB/Cu/FeSiB 薄膜，进行了实验研究，并将实验结果与理论模拟的 结果进行了比较： （1）采用射频溅射、光刻技术和电镀等与大规模集成电路相兼容的 微细加工工艺制备了三明治结构的 FeSiB 三层薄膜，并对其纵向和横向巨 磁阻抗效应及尺寸效应同时进行了系统研究。实验结果表明：该结构的 典型阻抗变化曲线与理论模拟的结果很好地吻合，在较低的频率下就出 现了阻抗变化的最大值；三层薄膜的厚度和宽度对整个结构性能有明显 的影响；其横向巨磁阻抗效应具有阻抗在较宽的范围内单调下降并在较 大磁场强度下仍未达到饱和的特性，为其将来在传感器中的应用提供了 ii 上海交通大学博士学位论文  摘要  更为广阔的前景； （2）针对三明治结构制备工艺复杂，步骤较多的问题，制备了另外 两种三层等宽的 FeSiB 三层夹心薄膜，并分别对它们的纵向和横向巨磁阻 抗效应进行了实验研究。其中矩形三层等宽薄膜的变化规律与三明治结 构的非常近似，但是由于磁通量的泄漏，导致了这种情况下的巨磁阻抗 效应很小。另一种采用掩膜技术制备的弯曲型三层等宽薄膜则基本表现 出与理论预期和三明治结构的变化规律，同时，也得到了较大的巨磁阻 抗效应；  （3）  对比三种薄膜的性能和制备工艺，三明治结构的制备最为复  杂，在最佳条件下，得到了超过-32％的阻抗变化，并且此时阻抗变化还 没有达到饱和值；而矩形三层等宽结构的工艺过程得到了大大简化，但 其获得的巨磁阻抗效应较小；弯曲型三层等宽结构工艺步骤最少，但调 整薄膜尺寸比较困难，薄膜图形尺寸精度低，其获得的巨磁阻抗效应也 较大，最佳条件下也达到-31％，但其达到最佳值的频率比三明治结构高， 而且到达最大值时已较接近饱和；  （4）  对掩膜技术制备的弯曲型三层等宽薄膜的应力阻抗效应进行  了研究。首次发现该结构在外加的应力作用下，薄膜阻抗呈单调下降的 趋势，并且具有非