磁性纳米线有序阵列.pdfVIP

摘要 本论文研究了磁性纳米线有序阵列的制备和磁性，主要在下面四个方面做 、.，，，一‘‘，，户，，，，卜 一 叫户一 ，-碑.叫一一 了一些研究工作: 1)氧化铝有序孔洞模板的制备 。仓米孔洞模板是伟Jj备磁性纳米线阵歹]I的基础于 我们利用硫酸作为电解液，在恒温恒电压的条件下，采用两步阳极氧化的方 法，在铝片上制备了具有纳米有序孔洞的氧化铝模板o冬板上纳米孔洞呈六 角分布，长程有序，孔洞的直径可调，孔心距可调。孔洞相互平行且垂直贯 穿膜面，长度可达 IOOlxm，孔洞的长径比可以大于 1000，孔洞的面密度大 。为200G11=:。方、、士，较二、}一作为制fir,维纳米材料。板。今 2)磁性纳米线有序阵列的制备。采用电化学沉积的方法在氧化铝模板的纳米 孔洞中生长了磁性纳米线阵列，包括铁、钻、镍、铁镍和铁钻等磁性金属和 合金。沉积的纳米线呈晶态 由于是在有限空间里的生长，所以晶体有一定 的择优 向。纳米线由于其天然的形状各向异NJ 在没有外场时，在退磁场 的作用 下其磁矩趋向于沿着线的方向排列。VSM 测量结果显示:当外场平 行于纳米线时，其矫顽力较大，矩形比也较好;当外场垂直于纳米线时，其 矫顽力相对于平行时要小，矩形比较差。用以上所有材料制备的纳米线阵列 中，我们都观察到了矫顽力的增强和方向依赖性。如果每一根纳米线能用来 存储一个bit的信息，那么这种存储介质的理想存储密度大约为200Gb/in2, 且这种存储器属于垂直存储，这使得廉价的高密度有序垂直磁记录磁盘的制 备成为可h-U. 3)磁性纳米线反磁化机制的研究。L,Tba性纳米线的径“”小，接近这些磁 性材料的单畴,f2寸，所以其反磁化机制以单畴均匀转动和非均匀转动为主， 这也是磁性纳米线出现矫顽力增强和方向依赖性的主要原因。我们把实验数 据与无限长的柱、球链的均匀转动、球链的对称hillil和非对称扇型进行比较， 发现较接近于球链il二对称扇型杖型和球链均匀转动模吧的混合模NJ 沙 4)多层纳米线制齐装置的搭建。我们自行设计和搭建了微机控制三电极电化 学沉积系%诊可以程序控制三电极电沉积的电极电势，所有控制都用微机 完成，可以用来生长多层纳米线。于 茄 多 卢 Abstract Fabricationandmagneticpropertiesofnanowirearrayhavebeenstudiedinthis thesis: 1)Fabricationofanodicaluminumtemplate(AAT).WefabricatedAATwithsulfuric acidunderconstantpotentialandtemperaturethroughtwo-stepanodizingmethod. Theporesareabout100pm inlength,10-60nm indiameter,andordered distributedinalargearea.Itsarealdensityisabout200Gpersquareinch,andits aspectratioislargerthan1000.Itssuitabletobeusedastemplatetofabricateone- dimensionalnano-structuredmaterials. 2)Fabricationofmagneticnanowirearrays.Throughelectro-depositing,we fabricatedFe,Co,Niandcorrespondingalloynanowirearrays.Becauseof confinedgrowth,theyhadsomepreferredgrowingdirection.VSMtestingresults ofbothalongandperpendiculartowiressuggestthatitseasydirectionisalongthe wire