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第33卷 第2期 发 光 学 报 Vo1．33 No．2
2012年 2月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Feb ． 2012
ArticleID：1000—7032(2012)0243227—06
DepositionofAIN FilmsonNitridedSapphireSubstratesby
ReactiveDC M agnetron Sputtering
WANGXin—jian ，SONGHang ，U Da—bing，JIANGHong，LIZhi—ming
MIAO Guo—qing’
， SUNXiao。juan ，CHENYi—Fen一，JIAHui，
(1．StatekeyLaboratoryofLuminescenceandApplications，Chang~h‘unInstituteofOptics，FineMechanicsandPhysics，
ChineseAcademyoj’Sciences，Changchun130033，China；
2．GraduateUniversityo，’ChineseAcademyofSciences，Bering100039，China)
CorrespondingAuthor，E—mail：songh@ ciomp．ac．Cn
Abstract：Aluminumnitride(A1N)filmswerepreparedsuccessfu]lyonsapphireandnitridedsapphiresubstrates
byreactiveDC magnetronsputtering．TheeffectofnitridationofsapphiresubstrateonthegrowthofA1N filmswas
studied．ThefilmswerecharacterizedbyX—raydiffraction(XRD)，atomicforcemicroscopy(AFM)andopticalab—
sorptionspectrum．XRDpatternsofA1Nfilmsexhibitedastrongpreferentialc—axisorientation，andnitridationofsap—
phiresubstratecouldimprovethecrystalqualityofA1Nfihnsandalsodecreasetheresidualstressoffilms．ButAF’M
resuhSrevealedthatthegrainsizedistributionoffihnsdepositedODnitridedsapphiresubstrateswasnot)notehomoge—
nousthanthatoffilmsdepositedonsapphiresubstrates，andopticalabsorptionrestlItsalsoshowednitridationofsap—
phiresubstratenearlyhadnoeffectontheopticalbehaviorofAINfihns．
Key words：crystalstructure；opticalabsorption；surfacemorphology
CLC number：076 Documentcode：A DOI：10．3788／fgx0227
直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AIN薄膜
王新建 ，宋 航 ，黎大兵 ，蒋 红 ，
李志明 ，缪国庆 ，孙晓娟 ，陈一仁 ，贾 辉
(1．发光学及应用国家蕈点实验室 中国科学院长春光学精锵机械与物理研究所，吉林 长春 130033
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